为了防止接反电源而器件损坏，在产品设计时，加入防反接电路；

如：加场效应管防反接电路，或是二极管；

场效应管：导通内阻小，压降小。

二极管：电路简单，低成本，占用压降大

因此我们一般都使用场效应管防反接电路；

 

场效应管分类：JFET+MOSFET

MOSFET分类：NMOSFET +PMOSFET

 

NMOS场效应管防反接电路

原理：NMOS场效应管加在负极端

若：接电正确，NMOS场效应管寄生二极管导通，源极电位=0.6V  栅极电压=电源电压

Vgs > 门极开启电压，导通，电流从源极→漏极，后端电路工作正常;

若：电源正负极反接，栅极电位=0，不导通，电路不工作，即保护电路；

 

PMOS场效应管防反接电路

原理：PMOS管加在电源正极一端

若：正确接电，PMOS管寄生二极管导通，电源通过负载形成回路，栅极电位=0，

源极电压=电源电压-0.6V ，  Vgs < 0 ，PMOS管导通，电流从漏极→源极，后端电路正常工作；

 

若：电源正、负反接，PMOS场效应管 栅极=高电平，不导通，电路不工作，即保护电路；

 

场效应管防反接电路劣势

1.电路复杂

2.成本高