增强型MOSFET作用：常闭压控电子阀门
无栅极偏置电压，无电流流动；
有栅极电压，P基板中形成诱发沟道，电流开始流动

增强型MOSFET与耗尽型结型场效应管JFET区别
增强型MOSFET：需能量才能提供电源，输入电压过小，无法提供足够偏置电压，增强型MOSFET无法工作；

结型场效应管简称JFET

耗尽型结型场效应管：要用能量停止供电；
因结型场效应管有自我实现特性，因此适合应用于电路初始启动期间能量不足时；

工作于极低电压轨电源电路

若：用单节电池供电电路，电源需从极低电压轨产生高电压，但不用大电流，此电源可产生唤醒电压轨，在启动时唤醒其它电路；
应用于：电路需高电压，但电压轨无法满足，电流只需低中等电流电路；
结型场效应管低输入电压反激电源电图
如下图所示：

1.低电压轨苏醒法，无法激活多数增强型常闭器件
2.可产生电压 > 输入电压

第一个条件可通过结型场效应管满足；

若：无施加控制电压，导通，电流在初始低电压状态下流动
t=0  电流在Q7与Q8间流动，在反激变压器T1次级绕组中感应到电压；
T1次级反相端产生足够负电压并达到Q7与Q8结型场效应管关断电压，即Q7与Q8 关断；

因此致初级电流缓慢停止流动，次级电压不断下降直至Q7与Q8栅极电压接近0V，即再次导通，振荡过程继续；
如下两图所示

U2：比较器，监视输出电压；
U2监视电压上升，驱动Q9导通关闭振荡;
电压拉到LTC1440比较器芯片内部基准电压（规定参考值）

如上图是次级线圈反相侧振荡与控制信号,

如上图输出电压测试点12，是初级线圈同相侧，开关周期启动过程，输出电压不断上升，在开关周期关闭过程中，振荡停止,电压下降; 

 

控制方法
D7通过一对低前向压降肖特基二极管对振荡器输出进行整流，C6和/或C5为输出提供保持电容；
此种控制方法即“继电器式”控制方法; 

振荡不断增加，直到输出分压器电压达到LTC1440比较器内部电压基准; 
当达到或超过阈值，振荡被关闭，直到输出电压降低到控制基准以下。
开-关振荡周期取决于输入供电电压值（可能低于1V）和输出负载。

注意:Q6功能，MOS管提供输出上升期间与负载隔离，只有振荡达到足够，且可持续输出，才允许电流流向负载。

若：演示，则将一个50kΩ电位器串联一个3kΩ电阻用作测试负载，所有示波器图形都是在负载为3kΩ、输入供电电压为1V时捕获；经过验证，在轻负载时，电路将在不到0.5V和供电电压轨处工作。
下图为低静态电流结型场效应管升压转换器

如下图是位于测试点TP7 Vout脉冲控制信号

性能：静态电流消耗+低静态电流转换器
结型场效应管振荡器运行，输出电压上升，直到比较器控制电路关闭振荡器，同时电压一直下降到下个周期。

结型场效应管结型场效应管电源有在极低输入源条件下工作优势，但静态电流消耗高。

在电池供电应用中，此特性并不好，次级线圈低侧增加一个额外FET开关，此开关由控制比较器驱动高阻抗触发器触发，可消除在电源周期关闭阶段的低阻抗路径，减小供电电路静态电流，因此效率高，但增加复杂性。