当元件封装和芯片的大小一定时，如对于底部有裸露铜皮的封装DPAK， TO220， D2PAK， DFN5*6等，那么器件的结到裸露铜皮的热阻RθJC是一个确定值， 根据硅片允许的最大工作结温TJ和裸露铜皮的温度TC，为常温25℃，就可以得到器件允许的最大的功耗PD。 得： PD=TJ-TC/RθJC 当功率MOS场效应管流过最大的连续漏极电流时，产生最大功耗为PD： 得：PD=ID2●RDS（ON）-TJ（max） 上二式联立，可得最大连续漏极电流ID： ID=TJ- Tc （1）Ip =Rac●Rps（on）。 T/mx）

非隔离开关 芯片上高功能集成，高压开关功率消耗很小，但分额定静态电流约为100μA， 低负载，可提供100毫安的输出电流，并且7引脚SO封装减少了系统的尺寸和成本。 可用此切换器建立各种转换器拓扑结构，如降压、降压升压和反激式，具有最少数量的外部元件。 TI公司的UCC8880在单片集成了控制器和700 V功率MOS场效应管。 还集成了片上高压电流源。

MOS场效应管功功率耗散：阻性+开关损耗 PDDEVICE TOTAL = PDRESISTIVE + PDSWITCHING MOS场效应管功率耗散依赖导通电阻（RDS（ON）），首先获得 RDS（ON）很重要。 结温（TJ）影响 RDS（ON） TJ又受MOS场效应管功率耗散+ 热阻（ΘJA）影响。 因此，要计算出功率耗散，有很多的因素影响，,说明：选择各同步整流器和开关 MOS场效应管的迭代过程。 过程中，各MOS场效应管的结温为假设值，两个 MOSFET 的功率耗散和允许环境温度通过计算得出。 允许环境温度 ≥ 期望机箱内最高温度，过程结束。 迭代过程：始于为每个 MOSFET 假定一个结温，计算每个 MOSFET 各自的功率耗散和允许的环境温度。 允许环境温度 ≥ 电源及其所驱动的电路所在的机壳的期望最高温度，过程结束。

SET组成：漏极+源极+与源漏极耦合的量子点+两个隧穿结+用来调节控制量子点中电子数的栅极； 双栅极单MOS场效应管与一个四端元件等效，如下图所示： （a）MOS场效应管双栅极SET的等效示意图 （b）MOS场效应管双栅极SET的I-V特性

MOS场效应管的损耗要减少可通过降低模块电源的驱动频率。 如：EMI问题及其解决方案 MOS场效应管损耗分析可得：开关电源的驱动频率越高，导通损耗、关断损耗和驱动损耗会相应增大，但是高频化可以使得模块电源的变压器磁芯更小，模块的体积变得更小， 因此可以通过开关频率优化开通损耗、关断损耗和驱动损耗，但是高频化却会引起严重的EMI问题。

要选择最优的MOS场效应管来实现同步整流，必须充分理解MOSFET的功耗产生机制。 首先，必须区分开随负载而变化的导通损耗与基本保持不变的开关损耗。 导通损耗取决于：MOS场效应管的RDS(on)和内部体二极管的正向电压VSD。随着输出电流的提高，导通损耗（RDS(on)损耗）也会相应地增加。

MOS场效应管  IC gate charge电荷量与switching特性，如从V GS =0V到V th 的充电期间为Q th ，curve变成完全平坦时的点，让source-gate间容量结束充电称为Q gs 。 显示从该点开始drain-source间的电压变化非常激烈，归返容量C ress 作为mirror容量也有变大趋势，充电期间会使该平坦部位的mirror容量成为Q gd ，从该处到2SK3418规定的10V驱动电压V gs 点，则变成total gate charge量Q g ，V gs =10V时的Q g ，大约是183nC。 由于Q g 驱动gate所以它是决定gate峰值电流i g(peak) ，与驱动损失P (driveloss) 等特性的重要参数，峰值电流i g(peak) 与驱动损失P (driveloss)

绝缘栅型MOS场效应管 因：栅极处于绝缘状态，其的感应电荷不易放掉，当积累到一定程度时，可产生很高的电压，即易将管子内部的Si02 膜击穿，所以要注意： 1.要求测试仪器、工作台有良好的接地. 2.焊接用的电烙铁外壳要接地或利用烙铁断电后的余热焊接，焊接绝缘栅型MOS场效应管顺序是：先焊游→栅极→焊漏极. 3.运输和储藏中必须将引出脚短路，或采用金属屏蔽包装，防外来感应电势将栅极击穿. 4.要采取防静电措施.

如下图所示N channel Power MOS场效应管 IC的断面构造，本MOSFET的gate与source之间，亦即gate pad的周围设有可以防止静电破坏的保护二极体，因此它又称为body diode。 马达驱动电路与断电电源供应器(UPS)等DC-AC转换inverter等应用的场合，保护二极管可以充分发挥它的特性。