雪崩电流在功率MOS场效应管的数据表中标示为IAV，雪崩能量代表功率MOSFET抗过压冲击的能力。
 

最大雪崩电流

在测试过程中，选取一定的电感值，然后将电流增大，即功率MOS场效应管开通的时间增加，关断，直到功率MOSFET损坏，对应的最大电流值即最大的雪崩电流。

在数据表中，标称的IAV通常要将前面的测试值做70%或80%降额处理，因此它是一个可以保证的参数。

一些功率MOS场效应管供应商会对这个参数在生产线上做100%全部检测，因为有降额，因此不会损坏器件。

注意事项：

测量雪崩能量时，功率MOS场效应管工作在UIS非箝位开关状态下，因此功率MOSFET不是工作在放大区，而是工作在可变电阻区和截止区。因此最大的雪崩电流通常小于最大的连续的漏极电流值ID。

采用的电感值越大，雪崩电流值越小，但雪崩能量越大，生产线上需要测试时间越长，生产率越低。电感值太小，雪崩能量越小。目前低压的功率MOSFET通常取0.1mH，此时，雪崩电流相对于最大的连续的漏极电流值有明显的改变，而且测试时间比较合适范围。