脉冲漏极电流在功率MOS场效应管的数据表中标示IDM

功率MOS场效应管工作可工作在饱和区，即放大区恒流状态。

如果功率MOSFET稳态工作在可变电阻区，对应的VGS的放大恒流状态的漏极电流远远大于系统的最大电流.

导通过程中，功率MOSFET要经过Mille台区，此时Miller平台区的VGS的电压对应着系统的最大电流。

然后Miller电容的电荷全部清除后，VGS的电压才慢慢增加，进入到可变电阻区，最后，VGS稳定在最大的栅极驱动电压，Miller平台区的电压和系统最大电流的关系必须满足功率MOSFET的转移工作特性或输出特性。

 

VGS1=某值，在转移工作特性或输出特性的电流为LDM1，器件不可能流过大于LDM1的电流，转移工作特性或输出特性限制着功率MOS场效应管的最大电流值。

即数据表中功率MOSFET脉冲漏极电流额定值LDM对应着器件允许的最大的VGS，在此条件下，器件工作在饱和区，即放大区恒流状态时，器件能够通过的最大漏极电流，同样，最大的VGS和IDM也要满足功率MOSFET的转移工作特性或输出特性。

 

最大的脉冲漏极电流IDM要满足最大结温的限制

LDM工作在连续的状态下，功率MOS场效应管的结温可能会超出范围。

在脉冲的状态下，瞬态的热阻小于稳态热阻，可以满足最大结温的限制。

 

IDM要满足二个条件：

1.在一定的脉冲宽度下，基于功率MOS场效应管的转移工作特性或输出特性的真正的单脉冲最大电流测量值;

2.在一 定的脉冲宽度下，基于瞬态的热阻和最大结温的计算值。数据表通常取二者中较小的一个。

3.功率MOSFET的数据表后面通常列出了瞬态的热阻的等效图。

因为VGS限定的漏极的电流，单纯的考虑IDM对于实际应用没有太多的参考价值，因为实际的应用中，栅极的驱动电压通常小于最大的额定电压。同样的，在实际的栅极驱动电压下，单纯的考虑电流也没有意义，而是考虑最大漏极电流的持续时间。

 

IDM和实际的应用最相关的状态是系统发生短路

在系统控制器的栅驱动由压下， 测试短路时最大漏极电流的持续时间。

通常在设计过程中，使系统短路保护时间小于1/3 - 1/2的上述的持续时间，这样才能使系统可容。

 

实际：对于大电流，在导通状态下或关断的过程，因芯片内部的不平衡或其它一些至今还没有理论可以解释的原因、即使芯片没有超过结温，也会产生损环。

在实际的应用中，要尽量的使短路保护的时间短，以减小系统短路最大冲击电流的冲击。

方法：减小短路保护回路的延时，中断响应的时间等。