设计应用 电子元器件百科 设计工具 Datasheet(PDF)下载
  • 请关注微信众公号
    查看更多技术文章
  • MOS场效应管半桥驱动电路中自举电容计算及注意事项-竟业电子

       时间:2021/11/22       阅读:3590    关键词:MOS场效应管

     

    自举电容取值相关因素

    1.上桥MOS场效应管的栅极电荷QG

    2.上桥驱动电路的静态电流IQBS

    3.自举电容的漏电流ICBSleak

    4.驱动IC中电平转换电路的电荷要求QLS

     

    电容最小容量计算公式
    MOS场效应管半桥驱动电路中自举电容计算及注意事项

    F=工作频率

    VF=自举二极管正向压降

    VLS=下桥器件压降或上桥负载压降

     

    自举电容应该要在每个开关周期内提供足够和以上电荷,才保持电压基本不变,否则VBS会有电压纹波且非常大,可能会低于欠压值VBSUV上桥无输出并停止工作。

     

    服务热线

    0755-83212595

    电子元器件销售平台微信

    销售