脉冲功率放大器电路设计中 宽频带大功率脉冲放大器模块要求： 1.工作频段 > 4个倍频程，输出功率大，对谐波和杂波有较高的抑制能力; 2.因谐波是在工作频带内：放大器模块要具有很高的线性度。 射频功率放大器放大链采用三级场效应管，全部选用MOS场效应管。 每级放大均采用AB类功率放大模式，且均选用推挽式，以保证功率放大器模块可以宽带工作。 供电电源通常使用正电压比较方便，选用增强型MOS场效应管。 为了展宽频带和输出大功率，采用传输线宽带匹配技术和反馈电路。 射频功率放大器输出要求：为大功率脉冲式发射， 因此第一、二级使用的MOS场效应管应具备快速开关切换，以保证脉冲调制信号的下降沿和上升沿完好，减少杂波和谐波的干扰。 第一、二级功率放大选用MOS场效应管为IRF510和IRF530。

2606主控电路中的电源开机电路中常遇到P沟道MOS管。SI2305即P沟道MOS管，因有时经常检查此部份故障，无从下手，即要先知道它的工作原理。 上电路中电池的正电通过，开关S1接到场效应管Q1的2脚源极，因Q1是一个P沟道MOS管，它的1脚栅极通过R20电阻提供一个正电位电压，所以不能通电，电压不能继续通过，3v稳压IC输入脚得不到电压，即不能工作也不能开机。

SGT即split-gate-trench，分裂栅极沟槽， 结构：因具有电荷耦合效应，在传统沟槽mosfet垂直耗尽p-body/n-epi结之上引入水平耗尽，将器件电场由三角形分布改变为近似矩形分布。 用相等掺杂浓度外延，元件可获得更高击穿电压。 广泛应用于：中低压功率器件。 MOS管第一个深沟槽Deep Trench作为体内场板，在反向电压下平衡漂移区电荷，可以降低漂移区的电阻率，从而降低器件的比导通电阻RSP）和栅极电荷Qg。

HC-MOS管的静态功耗 理想 不切换CMOS集成电路，无从VCC到地的直流电流路径，完全不吸收任何电源电流。 但，半导体固有特性，少量泄漏电流流经集成电路上所有反向偏置的二极管结。 这些泄漏：因二极管区域中热生成的载流子引起的。 随着二极管温度的升高，无用的电荷载流子的数量也会增加，泄漏电流会增加。 所有CMOS管元件的漏电流指定为ICC。 静态：当所有输入均保持在VCC或接地，所有输出均断开，从VCC流向地面的DC电流。

CMOS反相器组成：一个P沟道增强型MOS管+一个N沟道增强型MOS管串联 P沟道管=负载管 N沟道管=输入管 特点：降低功耗； 原因：两种逻辑状态中，两个晶体管中的一个总是截止，处理速率提高，CMOS反相器低电阻。 优势： 1.电源利用率高。 如：VOH=VDD，阈值电压随VDD变化，允许VDD有较宽的变化范围，一般为+3～+18V。 2.输入阻抗高，带负载能力强。 3.静态功耗极低。 如：在稳定时，CMOS反相器工作在工作区Ⅰ和工作区Ⅴ，总有一个MOS管处于截止状态，流过的电流为极小的漏电流。

切换负载最常见方式：MOS场效应管。 它的四周围绕着众多分立电阻器与电容器以及用于控制功率MOS场效应管的双极结型晶体管（BJT）/第二个场效应晶体管围绕的功率MOS场效应管。 但应用最多的是：全面集成负载开关。 负载开关在系统中位置 利用分立MOS场效应管电路或集成负载开关便能完成这种功率切换，如下图：

场效应管和可控硅驱动电路在本质上存在差异； 场效应管：结型场效应管+绝缘栅型场效应管； 可控硅：单向可控硅+双向可控硅 可控硅即晶闸管：单向晶闸管+双向晶闸管 绝缘栅型场效应管：即MOS管 场效应管与三极管混合叫IGBT即门控管。 IGBT驱动电路与场效应管驱动电路类似，此驱动归于电压驱动。 实际运用：电力改换或功率输出 最佳选用脉宽调制PWM信号操控，其输入到栅极方波上升沿峻峭，即图腾柱输出。

cmos传感器 按素结构分：主动式+被动式； 主动式像素结构：Active Pixel Sensor.简称APS，又叫有源式。 像素内引入缓冲器或放大器可改善像素的性能。 在Cmos APS中每一像素内都有自己的放大器。 集成在表面的放大晶体管减少了像素元件的有效表面积，降低“封装密度”,使40%～50%的入射光被反射。 传感器多通道放大器间有较好的匹配，可通过降低残余水平的固定图形噪声较好地实现。

MOS管在导通后，有导通电阻存在，即电流会电阻上消耗能量，即导通损耗。 MOS管损耗大小取决于此导通电阻的大小，阻值越小损耗越小。 小功率MOS管导通电阻：几十毫欧左右。 MOS管在导通和截止时，两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。 开关损失远 > 导通损失，开关频率越快，损失也越大。 导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。

RF功率LDMOS场效应管：有横向沟道结构功率MOS场效应管。 基本结构为LDMOS场效应管，用双扩散技术在同一窗口相继进行硼→磷两次扩散→通过两种杂质横向扩散的结深之差精确控制沟道长度。LDD结构 轻掺杂的LDD区：多晶栅边缘 → 漏端，可承受源漏间的高电压。 LDD区域电荷和长度优化后，可让源漏穿通电压达到最大值。 得最大源漏穿通电压条件：LDD区域电荷密度约=1011 cm-2~1013cm-2。 P+埋层 连接表面源端和P+衬底； 工作时，电流从表面源极通过P+埋层→P+衬底→从背面引出。 此无需要另从正面引线引出，可降低反馈电容电感，提高频率特性。