MOS管在导通后，有导通电阻存在，即电流会电阻上消耗能量，即导通损耗。 MOS管损耗大小取决于此导通电阻的大小，阻值越小损耗越小。 小功率MOS管导通电阻：几十毫欧左右。 MOS管在导通和截止时，两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。 开关损失远 > 导通损失，开关频率越快，损失也越大。 导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。

RF功率LDMOS场效应管：有横向沟道结构功率MOS场效应管。 基本结构为LDMOS场效应管，用双扩散技术在同一窗口相继进行硼→磷两次扩散→通过两种杂质横向扩散的结深之差精确控制沟道长度。LDD结构 轻掺杂的LDD区：多晶栅边缘 → 漏端，可承受源漏间的高电压。 LDD区域电荷和长度优化后，可让源漏穿通电压达到最大值。 得最大源漏穿通电压条件：LDD区域电荷密度约=1011 cm-2~1013cm-2。 P+埋层 连接表面源端和P+衬底； 工作时，电流从表面源极通过P+埋层→P+衬底→从背面引出。 此无需要另从正面引线引出，可降低反馈电容电感，提高频率特性。

次级同步整流电路 低导通电阻QgN沟道MOS场效应管应用于次级同步整流电路 目前设计都把同步整流功率MOS场效应管放在低端。 优点：驱动简单。 缺点：因输出的地相对是浮动，会产生EMI。 解决办法：系统中有辅助浮驱电源，可将N沟道同步整流功率MOS场效应管管放在高端。

对于电源管理应用程序而言 功率密度：是转换器的额定（或标称）输出功率除以转换器所占体积.根据功率密度比较电源 输出功率：指转换器在最坏的环境条件下可以提供的连续输出功率。 功率能力受：环境温度、最大可接受外壳温度、方向、海拔高度和预期寿命影响 根据转换器应用和结构，以多种不同的方式定义电源容量。 容量受一些变量影响，从而影响电源功率密度。

振铃危害，振铃干扰半桥芯片正常工作波形，半桥驱动MOS场效应管工作时的波形 当上桥逻辑输入为高时，上桥MOS场效应管开通，相线CH2上产生振铃，振铃通过线路的杂散电容耦合到上桥自举电压，造成上桥的VBS电压CH4）过低，让驱动芯片进入欠压保护，上图中VBS的电压已跌至5V。 上图，当Hin（CH1）有脉冲输入时，因振铃， MOS场效应管有时不能正常打开。 因：驱动IC进入了欠压保护。 欠压保护并不是每个周期都会出现。 因此，在测试时，应设置适当的触发方式来捕获这样的不正常工作状态。

MOS场效应管体二极管对振铃的影响 由桥式拓扑结构分析：当管有反向恢复电流，流过，这样就改变了RLC振荡电路的初始条件，即初始条件变为： t=0时， i=I yr·U.=0， 此时电感里储存的能量为： 因此相比初始电流i=o，U2=0时的幅值，此时的振铃幅值会更高。因此MOSFET的体二极管恢复特性对振铃也起着至关重要的作用。 实际应用中，一般下桥体二极Q小并具有较软恢复特性的MOSFET， 其引起的振铃会相应较小。 抑制相线振铃的措施由以上分析可知，要抑制相线 振铃必须做到： 1.尽量减小回路的引线电感.这需要在布线时使上述回路的面积最小且使用较宽的导线； 2.增加RC吸收电路减小振铃； 3.减小上桥关断速度，路中的di/dt；

自举电容取值相关因素 1.上桥MOS场效应管的栅极电荷QG 2.上桥驱动电路的静态电流IQBS 3.自举电容的漏电流ICBS（leak） 4.驱动IC中电平转换电路的电荷要求QLS 电容最小容量计算公式：F=工作频率 VF=自举二极管正向压降 VLS=下桥器件压降或上桥负载压降 自举电容应该要在每个开关周期内，提供足够和以上电荷，才保持电压基本不变，否则VBS会有电压纹波且非常大，也可能会低于欠压值VBSUV，致上桥无输出并停止工作。

低成本解决方案 功率集成解决低功率非隔离AC/DC要求，Link交换机TN系列的离线切换器IC。 成本降低，但基于Link交换机的TN基AC/DC切换器在性能上不会妥协。 设计应用于实现Buck、Buck Boost和回扫拓扑，Link交换机TN芯片集成了700 V功率MOS场效应管与所需的电源控制器功能。 包括振荡器、开关控制电路、高压开关电流源、用于电磁干扰(EMI)减少的频率抖动、逐周期电流限制和热关断，如下图所示： Link交换机TN成员LNK304/ 6的功能框图

雪崩电流在功率MOS场效应管的数据表中标示为IAV，雪崩能量代表功率MOSFET抗过压冲击的能力。 最大雪崩电流 在测试过程中，选取一定的电感值，然后将电流增大，即功率MOS场效应管开通的时间增加，关断，直到功率MOSFET损坏，对应的最大电流值即最大的雪崩电流。 在数据表中，标称的IAV通常要将前面的测试值做70%或80%降额处理，因此它是一个可以保证的参数。 一些功率MOS场效应管供应商会对这个参数在生产线上做100%全部检测，因为有降额，因此不会损坏器件。

脉冲漏极电流在功率MOS场效应管的数据表中标示IDM 功率MOS场效应管工作可工作在饱和区，即放大区恒流状态。 如果功率MOSFET稳态工作在可变电阻区，对应的VGS的放大恒流状态的漏极电流远远大于系统的最大电流. 导通过程中，功率MOSFET要经过Mille台区，此时Miller平台区的VGS的电压对应着系统的最大电流。 然后Miller电容的电荷全部清除后，VGS的电压才慢慢增加，进入到可变电阻区，最后，VGS稳定在最大的栅极驱动电压，Miller平台区的电压和系统最大电流的关系必须满足功率MOSFET的转移工作特性或输出特性。