MOS场效应管主要参数详细说明
最大漏极功耗

最大漏极功耗PD＝UDSID，相当于三极管的PCM。

 

饱和漏极电流IDSS  JFET

在UGS =0，MOS场效应管发生预夹断时的漏极电流

IDSS型场效应管所能输出的最大电流

结型场效应管：RGS > 107Ω  

MOS管：RGS>109～1015Ω

 

跨导Gm

漏极电流的微变量与栅一源电压微变量之比，即gm＝△ID/△UGS。

它是衡量MOS场效应管栅一源电压对漏极电流控制能力的一个参数。

gm相当于三极管的hFE。

 

开启电压UT  MOSFET

通常将刚刚形成导电沟道、出现漏极电流ID时对应的栅一源电压称为开启电压，用UGS（th）或UT表示。

开启电压UT是MOS增强型管的参数。当栅一源电压UGS小于开启电压的绝对值时，场效应管不能导通。

 

直流输入电阻RGS

漏一源短路，栅一源加电压时栅一源极之间的直流电阻。

 

夹断电压UP  JFET

当UDS为某一固定值（如10V），使ID等于某一微小电流（如50mA）时，栅一源极间加的电压即为夹断电压。

当UGS＝UP时，漏极电流为零。