CMOS线性调整器内部电路组成：

输出用P沟道MOS晶体管+误差放大器+基准电压源+预先调整输出电压用电阻+定电流限制或限流电路+过热停机功能

定电流限制或限流电路：即foldback电路，作用保护功能。

IC内部基准电压源：用CMOS工艺，它输出电压的温度特性与双极线性调整器相比稍有逊色；

 

高速型，低消耗电流型，低ESR电容对应，能改变各自内部的相位补偿或电路构成。

低消耗电流型组成：2级阶放大器；

高速型组成：3级放大器，它满足低消耗电流和高速瞬态响应；

 

在初级放大器和用于输出的P沟道MOS晶体管之间加入缓冲用放大器，能高速驱动输出用P沟道MOS晶体管的门极容量。

决定输出电压：R1和R2；

决定限定电流值：R3和R4。

如下图所示：

 

因各自能微调而设定了良好的精度。

高速型应用：无线电仪器+便携式电子仪器，且有小型化，可与陶瓷电容等低ESR电容相对应。