反型与积累型MOS变容管

普通MOS变容管调谐特性单调。

获得单调的调谐特性方法如下：

确保晶体管在VG变化范围大的情况下不进入积累区，可通过将衬底与栅源结断开，与电路中的最高直流电压短接来完成。

 

反型mos电容的调制特性曲线

普通MOS电容比反型MOS电容的调谐范围要窄。

原因：反型MOS电容只工作在强，中和弱反型区，不进入积累区。

应用：只工作在耗尽区和积累区的MOS器件。

会有更大调谐范围+低寄生电阻，即可得高品质因数。

原因：因耗尽区和积累区的电子是多子载流子，比空穴的迁移率高约三倍多。

 

如何获得积累型MOS电容

要禁止强反型区，中反型区和弱反型区，要抑制任何空穴注入 MOS的沟道。

方法：将MOS器件中的漏源结的p掺杂去掉，并在原来漏源结的位置做n掺杂的衬底接触，如下图所示：