SGT MOS管转移特性

如下图所示：

 

SGT即split-gate-trench，分裂栅极沟槽，

结构：因具有电荷耦合效应，在传统沟槽mosfet垂直耗尽p-body/n-epi结之上引入水平耗尽，将器件电场由三角形分布改变为近似矩形分布。

 

用相等掺杂浓度外延，元件可获得更高击穿电压。

广泛应用于：中低压功率器件。

MOS管第一个深沟槽Deep Trench作为体内场板，在反向电压下平衡漂移区电荷，可以降低漂移区的电阻率，从而降低器件的比导通电阻RSP）和栅极电荷Qg。

 

SGT-MOS管结构

屏蔽栅

宽度：0.4um

纵向长度：3.4um

氧化层厚度：

侧壁：0.7um

底部：0.5um

隔离：0.3um