CMOS线性调整器内部电路组成： 输出用P沟道MOS晶体管+误差放大器+基准电压源+预先调整输出电压用电阻+定电流限制或限流电路+过热停机功能 定电流限制或限流电路：即foldback电路，作用保护功能。 IC内部基准电压源：用CMOS工艺，它输出电压的温度特性与双极线性调整器相比稍有逊色； 高速型，低消耗电流型，低ESR电容对应，能改变各自内部的相位补偿或电路构成。 低消耗电流型组成：2级阶放大器； 高速型组成：3级放大器，它满足低消耗电流和高速瞬态响应； 在初级放大器和用于输出的P沟道MOS晶体管之间加入缓冲用放大器，能高速驱动输出用P沟道MOS晶体管的门极容量。 决定输出电压：R1和R2； 决定限定电流值：R3和R4。

MOS场效应管主要参数详细说明 最大漏极功耗 最大漏极功耗PD＝UDSID，相当于三极管的PCM。 饱和漏极电流IDSS  JFET 在UGS =0，MOS场效应管发生预夹断时的漏极电流 IDSS型场效应管所能输出的最大电流 结型场效应管：RGS > 107Ω   MOS管：RGS>109～1015Ω 跨导Gm 漏极电流的微变量与栅一源电压微变量之比，即gm＝△ID/△UGS。 它是衡量MOS场效应管栅一源电压对漏极电流控制能力的一个参数。 gm相当于三极管的hFE。 开启电压UT  MOSFET 通常将刚刚形成导电沟道、出现漏极电流ID时对应的栅一源电压称为开启电压，用UGS（th）或UT表示。 开启电压UT是MOS增强型管的参数。当栅一源电压UGS小于开启电压的绝对值时，场效应管不能导通。

脉冲功率放大器电路设计中 宽频带大功率脉冲放大器模块要求： 1.工作频段 > 4个倍频程，输出功率大，对谐波和杂波有较高的抑制能力; 2.因谐波是在工作频带内：放大器模块要具有很高的线性度。 射频功率放大器放大链采用三级场效应管，全部选用MOS场效应管。 每级放大均采用AB类功率放大模式，且均选用推挽式，以保证功率放大器模块可以宽带工作。 供电电源通常使用正电压比较方便，选用增强型MOS场效应管。 为了展宽频带和输出大功率，采用传输线宽带匹配技术和反馈电路。 射频功率放大器输出要求：为大功率脉冲式发射， 因此第一、二级使用的MOS场效应管应具备快速开关切换，以保证脉冲调制信号的下降沿和上升沿完好，减少杂波和谐波的干扰。 第一、二级功率放大选用MOS场效应管为IRF510和IRF530。

2606主控电路中的电源开机电路中常遇到P沟道MOS管。SI2305即P沟道MOS管，因有时经常检查此部份故障，无从下手，即要先知道它的工作原理。 上电路中电池的正电通过，开关S1接到场效应管Q1的2脚源极，因Q1是一个P沟道MOS管，它的1脚栅极通过R20电阻提供一个正电位电压，所以不能通电，电压不能继续通过，3v稳压IC输入脚得不到电压，即不能工作也不能开机。

SGT即split-gate-trench，分裂栅极沟槽， 结构：因具有电荷耦合效应，在传统沟槽mosfet垂直耗尽p-body/n-epi结之上引入水平耗尽，将器件电场由三角形分布改变为近似矩形分布。 用相等掺杂浓度外延，元件可获得更高击穿电压。 广泛应用于：中低压功率器件。 MOS管第一个深沟槽Deep Trench作为体内场板，在反向电压下平衡漂移区电荷，可以降低漂移区的电阻率，从而降低器件的比导通电阻RSP）和栅极电荷Qg。

HC-MOS管的静态功耗 理想 不切换CMOS集成电路，无从VCC到地的直流电流路径，完全不吸收任何电源电流。 但，半导体固有特性，少量泄漏电流流经集成电路上所有反向偏置的二极管结。 这些泄漏：因二极管区域中热生成的载流子引起的。 随着二极管温度的升高，无用的电荷载流子的数量也会增加，泄漏电流会增加。 所有CMOS管元件的漏电流指定为ICC。 静态：当所有输入均保持在VCC或接地，所有输出均断开，从VCC流向地面的DC电流。

CMOS反相器组成：一个P沟道增强型MOS管+一个N沟道增强型MOS管串联 P沟道管=负载管 N沟道管=输入管 特点：降低功耗； 原因：两种逻辑状态中，两个晶体管中的一个总是截止，处理速率提高，CMOS反相器低电阻。 优势： 1.电源利用率高。 如：VOH=VDD，阈值电压随VDD变化，允许VDD有较宽的变化范围，一般为+3～+18V。 2.输入阻抗高，带负载能力强。 3.静态功耗极低。 如：在稳定时，CMOS反相器工作在工作区Ⅰ和工作区Ⅴ，总有一个MOS管处于截止状态，流过的电流为极小的漏电流。

切换负载最常见方式：MOS场效应管。 它的四周围绕着众多分立电阻器与电容器以及用于控制功率MOS场效应管的双极结型晶体管（BJT）/第二个场效应晶体管围绕的功率MOS场效应管。 但应用最多的是：全面集成负载开关。 负载开关在系统中位置 利用分立MOS场效应管电路或集成负载开关便能完成这种功率切换，如下图：

场效应管和可控硅驱动电路在本质上存在差异； 场效应管：结型场效应管+绝缘栅型场效应管； 可控硅：单向可控硅+双向可控硅 可控硅即晶闸管：单向晶闸管+双向晶闸管 绝缘栅型场效应管：即MOS管 场效应管与三极管混合叫IGBT即门控管。 IGBT驱动电路与场效应管驱动电路类似，此驱动归于电压驱动。 实际运用：电力改换或功率输出 最佳选用脉宽调制PWM信号操控，其输入到栅极方波上升沿峻峭，即图腾柱输出。

cmos传感器 按素结构分：主动式+被动式； 主动式像素结构：Active Pixel Sensor.简称APS，又叫有源式。 像素内引入缓冲器或放大器可改善像素的性能。 在Cmos APS中每一像素内都有自己的放大器。 集成在表面的放大晶体管减少了像素元件的有效表面积，降低“封装密度”,使40%～50%的入射光被反射。 传感器多通道放大器间有较好的匹配，可通过降低残余水平的固定图形噪声较好地实现。