SiC MOS场效应管芯片上实际的驱动电压为VGS，用电压探头获得的是VGS-M。 区别：VGS-M包含VGS+SiC MOSFET芯片栅极电阻RG(int)上的压降VRG和寄生电感L上的压降VL。 原因：电压探头无法直接接在SiC MOS场效应管的芯片上，只能接在器件封装的引脚上。 即RG(int)和L都在测量点间。 仿真结果 通过电压探头测量，得Crosstalk波形比实际发生的Crosstalk偏低。 因：寄生参数的影响，低估Crosstalk的严重性。

MOS场效应管Rg 作用：为了降低MOS开关时振铃的发生， 降低开关时的振铃，采用计算选型Rg。 1.外部串联Rg，要在满足，基于减弱开关振铃要求的基础上尽可能的小， 2.PCB走线尽可能的粗。 MOS场效应管与驱动器距离要近，电流回路减小。 要降低Lg，PCB走线和器件布局很重要。

MOS场效应管无驱动器源极引脚： 在导通时驱动电路网中包含VLSOURCE和VRG_EXT(I). 会减少导通工作所需芯片上电压VGS_INT，因此降低导通速度,MOS场效应管有驱动器源极引脚 ID流向→电源Power Source引脚，不流向驱动器源极并且不包含在驱动电路网中，VLSOURCE对VGS_INT无影响。

mos场效应管dV/dt失效 因mos场效应管关断，瞬态充电电流，流经寄生电容Cds→基极电阻RB，导致寄生双极晶体管的基极→发射极间产生电位差VBE，让寄生双极晶体管导通，产生短路，导致失效的现象。

SiC MOS场效应管寄生导通产生机理 开通：门限值选择门极15V或18V，配置好载流能力或好的短路耐用性。 关断：保险的方法是负电压关断，有效的保证可靠关断，减少误触发的机率。

MOS场效应管开路或关断，因电感磁通量要连续性，不可转移到副边的储存在漏电感中的磁通量，会立即切断漏电感电流，即高压尖峰跨过MOS场效应管的漏与源极。

D1=快恢复二极管 减小关断损耗及关断时间 Rg1限制关断电流 R=mos管栅源极的下拉电阻 给mos场效应管栅极积累的电荷提供泄放回路。 mos场效应管栅极高输入阻抗的特性 干扰或静电，会导致MOS管误导通 因此R1作用：降低输入阻抗，值10k~几十k，Lp=驱动走线的杂散寄生电感 包括驱动IC引脚、MOS引脚、PCB走线的感抗，难确定精准值，取几十nH。

两个MOS场效应管串联替换继电器，作为交流电路中的一个触点。2个IRF530可在100V的峰值电压下的电路中作负载切换。 IC1=一个不稳定振荡器 是建立在著名的555定时器上的，提供一个方波电压源驱动MOS场效应管对的栅极。 R1 R2=定时电容器C1提供充放电路径

MOS场效应管的体内寄生二极管导通能力及反向恢复表现并不比普通二极管好，V（BR）DSS 的正温度，ID的负温度，雪崩能力IER/EAS的负温度，V（GS）th 的负温度系数特性漏极电位的快速上升有可能会发生栅极驱动的假触发现象 spurious-trigger

建模一个适合BSIM模型的MOS场效应管通道。 该模型以物理为基础，通过亚阈值、弱反和强反准确地捕捉转换过程。 它具有很好的速度和收敛性 被应用于：仿真平台 如下图所示 典型的碳化硅MOS场效应管器件的横截面，需要包含由EPI区域的多晶硅重叠形成的门极到漏极的临界电容CGD。 电容器：高度非线性金属氧化物半导体（MOS）电容器。 电容的耗尽区域依赖于复杂的工艺参数 包括：掺杂分布，p阱dpw间的距离，外延层的厚度。