建模一个适合BSIM模型的MOS场效应管通道。 该模型以物理为基础，通过亚阈值、弱反和强反准确地捕捉转换过程。 它具有很好的速度和收敛性 被应用于：仿真平台 如下图所示 典型的碳化硅MOS场效应管器件的横截面，需要包含由EPI区域的多晶硅重叠形成的门极到漏极的临界电容CGD。 电容器：高度非线性金属氧化物半导体（MOS）电容器。 电容的耗尽区域依赖于复杂的工艺参数 包括：掺杂分布，p阱dpw间的距离，外延层的厚度。

半桥驱动器块具有多个可编程的上拉和下拉电流源，用于为外部 MOSFET 的门极充电。 外部MOS场效应管 和电机负载半桥预驱动器电路，如下图所示 半桥预驱动器比较简化，控制外部 MOS场效应管  和电机负载 橙色：可编程电流源，实现先进的压摆率控制。 快速导通，可分阶段增加HS1的上拉电流源，快速给门极充电，为电机负载提供可预测的开关行为。 精确的压摆率控制优势 赋高脉宽调制PWM频率，更严格最小和最大占空比，并管理功率损耗和减少电磁辐射。

SIC MOS场效应管驱动用自举电路驱动一个半桥，简化电路即减少一路电源，即可以节约成本。 但是实现自举电路时注意事项： 1.自举电容Cboot要选寄生电感尽可能小的电容，避免充电时产生LC震荡 2.由因上管在导通时，是通过自举电容放电，确保上端正常开关，要调整PWM为自举电容预留充电时间

噪声源：电源+运行环境+电场和磁场+辐射波+片上晶体管的开关活动 为什么要有CMOS场效应管反相器噪声容限 为了在特定的噪声条件下提供适当的晶体管开关，电路的设计必须包括这些特定的噪声容限。 什么是CMOS场效应管反相器噪声余量 纯数字反相器：有电容，逻辑从高到低，并不会立即切换。 逆变器逻辑：高电平→低电平，这一区域中，会有一个不清楚区域，此区电压高或底是无法判断的，此时刻即噪声余量。

体二极管反向恢复dv/dt 是极管由通态到反向阻断状态的开关过程。 如下图所示 MOS场效应管体二极管反向恢复的波形 体二极管正向导通，持续一段时间，二 极管P-N结积累电荷。 当反向电压加到二极管两端时， 释放储存的电荷，回到阻断状态。 出现现象： 1.MOS场效应管的体二极管流过一个大的反向电流和重构。 原因：MOSFET的导通沟道已经切断。一些反向恢复电流从N+源下流过。

当电源IC驱动能力不足时，若有较大的MOS场效应管寄生电容，需在驱动电路上增强驱动能力， 即用图腾柱电路，如下图 2虚线框所示： 图腾柱驱动电路 作用：电流供应能力上升，栅极输入电容电荷充电过程可迅速完成。 它的拓扑导通所需时间增加，关断时间减少，快速开通开关管，上升沿的高频振荡可规避。

驱动强度：栅极驱动器解决栅极电压和执行电平转换。 栅极电容无法瞬间改变其电压。 功率场效应管或IGBT具有非零的有限切换间隔时间。 在切换期间，元件可能处于高电流和高电压状态，会产生功耗并转化为热量。 高瞬变电流让栅极电容快速充电和放电，实现快速一个状态到另一个状态的转换。 无栅极驱动器MOS场效应管导通转换能够在更长时间内提供/吸收更高栅极电流的驱动器，切换时间会更短，即其驱动的晶体管内的开关功耗也更低。 有栅极驱动器的MOSFET导通转换

用反相逻辑驱动功率MOS场效应管电路,1a：当IO1发出一个低电平信号时，VGSQ1 VDD > VTHQ2，Q2导通，可以传导电流。 IO1输出高电平，Q1导通，CGQ2通过Q1放电。 VDSQ1 ~ 0 V，使得VGSQ2 此设置电路 缺点：Q1导通状态下R1的功耗。 解决方案：pMOSFET Q3可以作为上拉器件，其以与Q1互补的方式工作，如1b。

继电器振动，开关关闭时，也导致MOS场效应管被损坏 原因：继电器控制并联的机械开关而产生的瞬态电压。 当继电器关闭时，因继电器的启动时间短，产生高瞬态电dv/dt。 机械开关短暂时间，高dv/dt会激活在MOSFET中包含的寄生晶体管。 浪涌的能量将集中在这种寄生晶体管上，这可以破坏寄生双极晶体管，并破坏MOS场效应管本身。MOSFET在漏极源和源极间的绝对短路而损坏 解决方案： 1.当驱动感性负载时，不要将机械开关与MOSFET并联。 2.用一个双极晶体管+一个稳压二极管保护：限制振荡电压，值 < VCEmax。 3.一个zener保护二极管：电压< MOS场效应管的第二次击穿电压， 第二个击穿电< 50%VDSmax，第二次击穿电压可=39V。

两个MOS场效应管串联在半桥。 如下电路所示 注意： 1.电流要有所限制 2.提供此限制不是每个MOS场效应管内 3.不限制电流，损坏持续， 如：低边MOSFET短路→VBAT， 高边MOSFET短路→地 如何避免以上所发生的问题 1.用其它可承受短路到地和VBAT智能开关。 2.它的热保护要支持短路到地和VBAT。