简约电路如下图所示：

 

当考虑寄生参数后，得等效电路如下所示：

 

SiC MOS场效应管芯片上实际的驱动电压为VGS，用电压探头获得的是VGS-M。

区别：VGS-M包含VGS+SiC MOSFET芯片栅极电阻RG(int)上的压降VRG和寄生电感L上的压降VL。

 

原因：电压探头无法直接接在SiC MOS场效应管的芯片上，只能接在器件封装的引脚上。

即RG(int)和L都在测量点间。

 

仿真结果

通过电压探头测量，得Crosstalk波形比实际发生的Crosstalk偏低。

因：寄生参数的影响，低估Crosstalk的严重性。

 

导致：

1.通过测量结果判断Crosstalk在可接受范围内，实际已经发生误导通；

2.抑制Crosstalk，实际差很远。

 

原因：避免不了RG(int)和L，这种测量误差无法被消除。

解决方案：用SiC MOSFET时，为Crosstalk留足够的裕量。

测量结果与真实Crosstalk间的差别，随RG(int)和L的增大而增大。

即选择RG(int)的SiC MOS场效应管，同时在进行测量时，尽量将探头接在器件引脚的根部，以缩小误差。