用一个二极管与Rg2驱动电阻上并联

如下图所示

D1=快恢复二极管

减小关断损耗及关断时间

Rg1限制关断电流

R=mos管栅源极的下拉电阻

给mos场效应管栅极积累的电荷提供泄放回路。

 

mos场效应管栅极高输入阻抗的特性

干扰或静电，会导致MOS管误导通

因此R1作用：降低输入阻抗，值10k~几十k

 

Lp=驱动走线的杂散寄生电感

包括驱动IC引脚、MOS引脚、PCB走线的感抗，难确定精准值，取几十nH。

 

计算驱动电阻Rg值

驱动走线寄生电感和mos场效应管的结电容，会组成一个LC振荡电路

若，驱动芯片输出端直接到栅极，在PWM波上升下降沿会产生很大的震荡，导致MOS管急剧发热甚至爆炸

解决方案：在栅极串联电阻，降低LC振荡电路的Q值，迅速衰减震荡。

 

驱动电阻下限值

mos开通瞬间，Vcc通过驱动电阻给Ciss=Cgs+Cgd充电

如上图所示，请忽略下拉电阻R1的影响。

据LC震荡电路模型，列出回路在复频域内对应的方程。

驱动电流Ig值解出，典型二阶系统

根据LC振荡电路，求解二阶系统阻尼系比

LC振荡电路特性，避免ig震荡，系统要处于过阻尼的状态；

即阻尼比 > 1，得Rg=Rg1+Rg2下限范围

 

驱动关断电阻上限值：

mos场效应管关断时，Vds会产生很大的dv/dt，因寄生电容Cgd，会对回路进行放电继而产生大电流，

据公式：Ic=Cdv/dt

回路上Igd流过驱动电阻Rg

会在GS间产生一个电压

Vgoff=IgdxRg

要它低于MOS导通的门槛电压Vth，规避误导通。

 

不等式

得驱动电阻Rgoff=Rg1的取值范围