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- 碳化硅MOS场效应管质量-MOS场效应管知识-竟业电子
- 1，200-V 碳化硅 MOS场效应管
优势
1.高沟道迁移率
2.长氧化物寿命
3.高阈值电压稳定性
美国国家标准与技术研究院 （NIST） 的研究人员利用瞬态介质击穿 TDDB 等寿命加速技术，预测一家主要制造商的 SiC MOS 技术的氧化物寿命将超过 100 年，甚至结温高于 200°C。
注意
硅 MOS 中通常存在与温度相关的加速因子，但 NIST 研究人员尚未观察到 SiC MOS 的相同现象。
如下图所示
在 175°C 下进行的 HTGB 压力测试，具有正负 VGS
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- GaN 场效应管分类GaN 场效应管的优势缺点-竟业电子
- GaN 场效应管开关元件分类
增强模式 (e-GaN) ，级联耗尽模式 (d-GaN)
e-GaN 场效应管
可作普通 MOSFET 工作，即使它的栅源电压降低了。
提供一个更简单封装，无体二极管低电阻，有双向通道。
它晶体管通常是关断的，在栅极加正电压导通。
无需负启动偏置：栅极上的偏置为零，关闭且不传导任何电流。
阈值 < 硅 MOSFE阈值。
提供低栅漏电容 CGD。
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- Qorvo 场效应管-Jet 计算器-场效应管知识-竟业电子
- 预测特定电源转换电路整体效率很复杂
原因：相互依赖性和变量很多。
Qorvo (UnitedSiC) 在线、免费 场效应管-Jet 计算器，它支持 SiC FET。
此计算器它可自主考虑参数，包括所有参数在内
应用者只要提供电源电路输出效率、温升和损耗水平- 指定的条件即可。
如：计算器功率
如下图所示
交错图腾柱 PFC 拓扑，图腾柱 PFC 级的轮廓电路
供电=230 VAC
额定功率= 6.6 kW
400 VDC 总线在“硬开关”连续导通模式下运行。
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- SiC场效应管品质因数-场效应管知识-竟业电子
- SiC场效应管是在SiC WBG技术最好的， Qorvo的一部分。
是 SiC场效应管 和硅 MO场效应管 的常关共源共栅组合，
品质因数FoM是所有竞争技术最佳
特定电压等级器件导通电阻 * 芯片面积=FOM RdsA
如下图所示
SiC场效应管品质因数 RdsA与竞争技术相比
SiC场效应管硬开关拓扑表现最佳因素：低损耗体二极管，快速开关。
如，OBC PFC 前端，图腾柱布置或有源前端，具有高效率和双向能力.
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- SiC MOS场效应管在线性区域运行作用与缺点-竟业电子
- 在开与关切换模式SiC MOMOS场效应管运行
元件线性区或有源区
作用：作电流调节器，所有可用电流都无法流通的区域。
缺点：高功耗，低效率。在某些情况下，元件在线性区域中运行，导致结果：
1.栅极电压V g不在厂家设定的正负极限，而是位于中心区域附近；
2.漏源电压V ds不接近于零，而是处于高得多的电压；
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- IC芯片驱动MOS场效应管优势缺点注意事项-竟业电子
- 有的电路用MCU直驱，有的专用驱动IC驱动？
因素：MOS场效应管开关速度，工作电流电压，热阻，导通电阻等。
特别是GS极寄生电容。
提供足够驱动电流调整MOS场效应管开关时间。
条件：Vgs电压 > th开启电压
Source极接地，但要注意Gate电压
如：H桥驱动电机
MOS管S极可能不直接接地，因此要用专用驱动IC驱动
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- NMOS场效应管反向电流保护电路图-MOS场效应管应用-竟业电子
- NMOS场效应管反向电流保护电路图，简化过的电荷泵电路， 直接连到RC 滤波。
振荡电路：用比较器搭出，施密特振荡触发器取代555。
实际：如果用运放替代比较器，用双运放芯片即可一个运放振荡。
去掉了另外比较器上迟滞，比较器内部带迟滞处理。
若：如果用运放代替，则要加上。
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- MOS场效应管高效D类音频放大器电路原理图-竟业电子
- MOS场效应管高效D类音频放大器电路原理图，构建电路在 PerfBoard 上，在一块穿孔板上制作了电路。
这样做的原因：
1.电路简单;
2.修改快速;
用铜线完成大部分连接，但在某些最后阶段，使用一些连接线来完成构建。
完成穿孔板电路：
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- 驱动MOS场效应管同步降压控制器原理电路-竟业电子
- 驱动MOS场效应管 Q1 和 Q2 的同步降压控制器原理电路，考虑因素
1.用MOS场效应管和控制器的功率级的印刷电路板PCB布局的紧凑性不好
2.在 MOS场效应管开关时间，在额定范围转换器中更精确。
体二极管导通时间更短，开关性能可改善，反向恢复相关噪声可降低。
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