1，200-V 碳化硅 MOS场效应管

优势

1.高沟道迁移率

2.长氧化物寿命

3.高阈值电压稳定性

美国国家标准与技术研究院 （NIST） 的研究人员利用瞬态介质击穿 TDDB 等寿命加速技术，预测一家主要制造商的 SiC MOS 技术的氧化物寿命将超过 100 年，甚至结温高于 200°C。

 

注意

硅 MOS 中通常存在与温度相关的加速因子，但 NIST 研究人员尚未观察到 SiC MOS 的相同现象。

如下图所示

在 175°C 下进行的 HTGB 压力测试，具有正负 VGS

 

 

来自不同晶圆批次的多个元件进行的高温栅极偏置 HTGB 应力测试的结果。

明显的阈值电压稳定性，未有偏移。