IC芯片驱动MOS场效应管优势缺点注意事项-竟业电子

   时间:2022/7/19      阅读:1104   关键词:MOS场效应管

有的电路用MCU直驱,有的专用驱动IC驱动?

因素:MOS场效应管开关速度,工作电流电压,热阻,导通电阻等。

特别是GS极寄生电容。

 

提供足够驱动电流调整MOS场效应管开关时间。

条件:Vgs电压 >  th开启电压

Source极接地,但要注意Gate电压

 

如:H桥驱动电机

MOSS极可能不直接接地,因此要用专用驱动IC驱动

IC芯片驱动MOS场效应管优势缺点注意事项

 

如:分立器件搭建半桥驱动电路驱动电机

BUG2MOS场效应管同时导通,即VCCGND直连,MOS场效应管损坏。

开启一个MOS,硬件延时,此时间保证另一个MOS已关闭。

解决方案:通过调整DT引脚上连接电阻,调整死区保护时间。

 

IC芯片驱动MOS场效应管优势缺点注意事项

 

优势

1. 外围分立元件减少。

2. 应用场景+驱动电压得到扩展。

 

缺点:成本高。

IC芯片驱动MOS场效应管优势缺点注意事项

注意

根据驱动电路需求,MOS场效应管开关电路对于时间上没有要求,除驱动H桥以外,如果只应用于简单负载开关,考虑电流,MOS管温升,用MCU直驱。

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