2004年引入的北美80+倡议定义的测量标准可用于评估和认证开关电源（SMPS）的效率。如果SMPS在规定的负载条件下达到至少80%，则授予证书。因此，拥有80多个证书的解决方案有助于减少数字化的电力需求。为了满足最高效率80+钛认证的要求，115 V输入电压和230 V负载下分别需要94%的效率和96%的负载效率。台湾领先的电源生产商Lite-on-Technology Corporation已经通过CoolSiC™实现了这一目标 英飞凌infineon的650V MOSFETs。Lite-on管理层确信，碳化硅已成为太阳能逆变器等应用的主流。 与英飞凌infineon合作，他们的目标是展示它也与服务器电源市场相关。

英飞凌infineon 基于新型微沟槽技术，沟槽式IGBT7芯片具有更低的静态损耗，TRENCHSTOP™ IGBT 7技术现已在TO-247外壳中提供，英飞凌infineon IGBT T7技术具有非常低的饱和电压（V CE（sat）），并与发射极控制的第7代（EC7）二极管共同封装，可提供150 mV的正向电压（V F）降和改进的反向恢复软性。 该器件具有优越的可控性和优良的电磁干扰性能。它可以很容易地进行调整，以提供特定应用的dv/dt和开关损耗的最佳比率。

伺服驱动用碳化硅板：用CoolSiC™轻松启动 MOS管技术在驱动器中的应用 开发评估板是为了支持使用CoolSiC™设计伺服驱动应用程序的第一步 MOS管 1200 V分立封装。它集成了三相整流EMI滤波器、电流传感器、保护功能以及热管理和散热器。所有相关的模拟和控制信号都可以通过测试板轻松访问。 在电力电子领域，电机驱动器占据了市场的主要份额。用它的CoolSiC™ MOS管模块化应用设计套件（MADK）板英飞凌Infineon 有助于进一步缩短该相关细分市场的上市时间。评估板EVAL-M5-IMZ120R-SIC作为最大7.5千瓦电机的MADK平台的一部分，是一个针对伺服驱动应用的三相逆变电路板。作为一个真正的第一，英飞凌Infineon在公司网站上提供了有关原理图（PDF）、零件（Excel）、布局（Gerber）和设计包（Altium）的详细信息。这样，电路板也可以作为参考设计，促进设计过程。

推进非接触式支付：英飞凌和指纹卡联手推动生物识别卡的大规模部署 集成指纹传感器的生物识别支付卡使非接触式支付更加方便、安全和卫生。在整个支付交易过程中，非接触式卡始终掌握在持卡人手中，同时无需输入PIN码或签名即可授权进行高价值支付。 英飞凌infineon和指纹卡AB（指纹™，STO:FING-B）已经联合起来，使这一新兴解决方案得以大规模部署。 非接触式支付安全控制器和指纹传感器（包括其相关软件）的世界领先者旨在为制卡商提供生物识别半导体解决方案，使集成特别具有成本效益和可扩展性。指纹信息存储在卡的嵌入式安全元件上，不与任何第三方共享，从而保护用户的凭证。

准确、匿名、非接触：基于雷达的入口柜台解决方案，适用于公共建筑、零售商店、餐厅或公司空间，以确保公共建筑的社会距离，以减缓Covid-19的传播。在三个月内，英飞凌Infineon 开发了一种解决方案，可以在进出建筑物或房间时对人员进行计数，同时确保社会距离。智能入口计数器解决方案是一个小型化、离散的雷达板（20毫米x 15毫米），通过一个60千兆赫的雷达传感器和集成软件，可以精确和匿名地计算人数。红绿灯系统会通知是否允许进入。

英飞凌infineon推出了一种新的IGBT功率模块，专门针对80 kW至100 kW功率等级的电动车辆牵引逆变器的需求定制：HybridPACK™ DC6i。这个六块装的模块经过优化，使系统成本和性能与混合动力和小电池电动车完美匹配。它将英飞凌infineon已建立的EDT2 IGBT与封装技术相结合，实现了紧凑性、非常好的热管理、降低了材料成本以及易于安装。

英飞凌infineon超小型节能3D磁传感器开启了新的设计选择,英飞凌infineon TLI493D-W2BW的低高度有助于极为空间关键的应用，如微型电机的BLDC换相或操纵杆或游戏机等控制元件。它可以设计双面PCB或在两块PCB之间定位传感器。这样可以最佳利用可用空间；例如，可以在传感器上方放置其他组件。

欧洲最强大的400千瓦直流充电器：CoolSiC™ 对于超快的维修站 西班牙电力转换集团英格泰姆和英飞凌infineon携手合作，为超高速电动汽车（EV）充电提供最佳客户体验。英格泰姆的INGEREV®RAPID ST400变频器的额定功率为400 kW，基于CoolSiC™ 最容易的事™ 2B外壳。英飞凌Infineon的八个单点充电模块。根据各自汽车的充电能力，电动汽车现在只需要停止至少10分钟的80%的电池充电。这相当于用内燃机给传统汽车加油

英飞凌Infineon新的CoolSiC汽车MOSFET功率模块完全符合AQG324标准。 CoolSiC汽车MOSFET技术 新模块基于英飞凌Infineon的碳化硅沟槽MOSFET结构。与平面结构相比，沟槽结构具有更高的细胞密度，从而产生最佳的性能因数。因此，沟道mosfet可以在较低的栅氧化场强度下工作，以获得更高的可靠性。 第一代CoolSiC汽车MOSFET技术优化用于牵引逆变器，重点在于实现尽可能低的传导损耗，特别是在部分负载条件下。再加上碳化硅mosfet的低开关损耗，这使得逆变器工作时的损耗比硅igbt降低约60%。

英飞凌infineon正在扩大其为电池管理系统提供的产品，该系统采用了一种新的传感和平衡ICTLE9012AQU。该装置专为混合动力和电动汽车的电池设计，但也适用于其他应用。它可以在整个温度和电压范围以及工作寿命周期内，以±5.8 mV的精度测量多达12个电池单元中的电压。此外，它支持多达5个外部温度传感器，提供集成单元平衡功能，并使用iso UART接口进行通信。