英飞凌infineon强红外StrongIRFET™ 2功率MOSFET 80 V和100 V：适合广泛应用的产品

英飞凌infineon推出了StrongIRFET™ 2–80 V和100 V的新一代功率MOSFET技术。

配电合作伙伴的广泛可用性和优异的性价比使这些合适的产品成为对方便选择和购买感兴趣的设计师的简单选择。该系列针对低开关频率和高开关频率进行了优化，支持广泛的应用，实现了高度的设计灵活性。

从StrongIRFET中获益的应用包括开关电源、电机驱动器、电池驱动工具、电池管理、UPS和轻型电动汽车。

与上一代相比，新的StrongIRFET技术提供了40%的R DS（on）改进和超过50%的Q g降低，转化为更高的功率效率以提高系统的整体性能。增加的电流额定值允许更高的载流能力，消除了并行多个设备的需要，从而降低了BOM成本和电路板节省。