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英飞凌Infineon工业级CoolMOS S7 10 mΩ和汽车级CoolMOS S7A-竟业电子

   时间:2021/4/12      阅读:395    关键词:英飞凌Infineon

 

英飞凌Infineon扩展600 V CoolMOS™ S7系列,带MOSFET,用于静态开关应用

 

英飞凌Infineon MOSFET低频切换的应用中,高功率产品设计必须满足以下几个关键特性:它们必须最小化传导损耗,提供最佳热行为,并启用更紧凑和更轻的系统——同时以低成本保持最高质量。为了满足这些要求,英飞凌Infineon正在增强600V冷却MOS™ S7系列,配有两个用于静态开关应用的新优化设备:工业级CoolMOS S7 10 mΩ和汽车级CoolMOS S7A。

 

对于600V超结MOSFET,CoolMOS S7 10 mΩ具有独特的低通电阻(R DS(on)),因此,它非常适合于最小导通损耗至关重要的应用,例如现成固态继电器(SSR)。相反,汽车级CoolMOS S7A解决了固态断路器(SSCB)和二极管并联/更换对汽车应用中的高功率/性能设计(如高压(HV)eFUSE、HV EDISCOnnet蓄电池断开开关以及车载充电器所设定的系统性能要求。

 

产品系列是通过优化著名的CoolMOS 7技术平台开发的。为了实现这一目标,该装置已被增强,用于静态开关和高电流应用。因此,新器件能以最高质量标准提供最佳性价比,更注重导电性能、能效、功率密度和提高热电阻。

 

英飞凌Infineon CoolMOS S7 10 mΩ和CoolMOS S7A芯片具有市场上最低的R DS(on)和最佳的R DS(on)x A x成本。此外,它们已集成到创新的顶部冷却(TSC)QDPAK SMD封装中,该封装提供了优异的热性能,使之成为to-247等THD设备的更小替代品。此外,随着从THD移动到带有QDPAK的表面安装设备,可以实现94%的高度降低,从而实现更高的功率密度解决方案。

 

具有低导损耗的colmos™ S7 10 mΩ和CoolMOS S7A,设计者可以将散热器的尺寸限制在80%以上,并在不改变形状因数的情况下扩展电流和电压额定值。

英飞凌Infineon工业级CoolMOS S7 10 mΩ和汽车级CoolMOS S7A

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