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英飞凌infineon GaN HEMT–氮化镓晶体管-竟业电子

   时间:2021/1/18      阅读:666    关键词:英飞凌infineon

 

CoolGaN- the new power paradigm

氮化镓(GaN)比硅具有根本的优势。特别是高临界电场使得功率半导体器件具有比动态导通电阻大、比电容小的优点,这使得GaN-HEMTs具有很好的高速开关性能。不仅因为由此带来的功率节省和系统总成本的降低,它还允许更高的工作频率,提高了功率密度以及整个系统的效率。

 

GaN功率晶体管最重要的特性是其反向恢复性能。作为英飞凌infineonCoolGaN™ 晶体管没有少数载流子,也没有体二极管,它们不会表现出反向恢复。

最终效率和可靠性

英飞凌infineon CoolGaN™ 是一种高效的GaN晶体管技术,用于在高达600V的电压范围内进行功率转换。凭借在半导体市场的长期经验,英飞凌infineon e模式概念推向了成熟,实现了端到端的大批量生产。首创的质量保证了最高的标准,并提供了最可靠和执行的解决方案,在所有的GaN-HEMTs在市场上。

 

基于CoolGaN™ 的开关电源电路可以受益于提高的能源效率和提高的功率密度,这是最先进的硅器件所不可能的。在200-250kHz以上的高频操作中,开关速度是决定能量如何传递的关键。英飞凌CoolGaN的超快切换速度™ 使死区时间非常短。预计使用寿命超过15年,故障率低于1适合,客户可以依赖其可靠性和质量。

 

GaN EiceDRIVER系列

英飞凌infineon 的所有功率晶体管一样,CoolGaN™ 系列由一系列门驱动器支持,包括GaN EiceDRIVER系列

使用英飞凌infineon 的单通道隔离GaN EiceDRIVER™ 享受设计的简单性集成电路,开发工作在高压冷却高效 600V设计和缩短上市时间,广泛提供GaN™评估板。

 

英飞凌infineon 的高性能CoolGaNeHEMT有顶部和底部冷却SMD封装。考虑到最高的效率和功率密度以及最佳的热行为在各自的应用。这些e模式HEMT面向消费者和工业应用,如服务器、数据通信、电信、适配器/充电器、无线充电和音频,具有市场上最强大和性能最好的概念。

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