功耗主要由MOS场效应管和二极管产生。 损耗：传导损耗和开关损耗。 开关元件MOS场效应管和二极管，导通时电流流过回路。 元件导通 传导损耗：MOSFET的导通电阻(RDS(ON))和二极管的正向导通电压决定。

1，200-V 碳化硅 MOS场效应管 优势 1.高沟道迁移率 2.长氧化物寿命 3.高阈值电压稳定性 美国国家标准与技术研究院 （NIST） 的研究人员利用瞬态介质击穿 TDDB 等寿命加速技术，预测一家主要制造商的 SiC MOS 技术的氧化物寿命将超过 100 年，甚至结温高于 200°C。 注意 硅 MOS 中通常存在与温度相关的加速因子，但 NIST 研究人员尚未观察到 SiC MOS 的相同现象。 如下图所示 在 175°C 下进行的 HTGB 压力测试，具有正负 VGS

GaN 场效应管开关元件分类 增强模式 (e-GaN) ，级联耗尽模式 (d-GaN) e-GaN 场效应管 可作普通 MOSFET 工作，即使它的栅源电压降低了。 提供一个更简单封装，无体二极管低电阻，有双向通道。 它晶体管通常是关断的，在栅极加正电压导通。 无需负启动偏置：栅极上的偏置为零，关闭且不传导任何电流。 阈值 < 硅 MOSFE阈值。 提供低栅漏电容 CGD。

预测特定电源转换电路整体效率很复杂 原因：相互依赖性和变量很多。 Qorvo (UnitedSiC) 在线、免费 场效应管-Jet 计算器，它支持 SiC FET。 此计算器它可自主考虑参数，包括所有参数在内 应用者只要提供电源电路输出效率、温升和损耗水平- 指定的条件即可。 如：计算器功率 如下图所示 交错图腾柱 PFC 拓扑，图腾柱 PFC 级的轮廓电路 供电=230 VAC 额定功率= 6.6 kW 400 VDC 总线在“硬开关”连续导通模式下运行。

SiC场效应管是在SiC WBG技术最好的， Qorvo的一部分。 是 SiC场效应管 和硅 MO场效应管 的常关共源共栅组合， 品质因数FoM是所有竞争技术最佳 特定电压等级器件导通电阻 * 芯片面积=FOM RdsA 如下图所示 SiC场效应管品质因数 RdsA与竞争技术相比 SiC场效应管硬开关拓扑表现最佳因素：低损耗体二极管，快速开关。 如，OBC PFC 前端，图腾柱布置或有源前端，具有高效率和双向能力.

在开与关切换模式SiC MOMOS场效应管运行 元件线性区或有源区 作用：作电流调节器，所有可用电流都无法流通的区域。 缺点：高功耗，低效率。在某些情况下，元件在线性区域中运行，导致结果： 1.栅极电压V g不在厂家设定的正负极限，而是位于中心区域附近； 2.漏源电压V ds不接近于零，而是处于高得多的电压；

有的电路用MCU直驱，有的专用驱动IC驱动？ 因素：MOS场效应管开关速度，工作电流电压，热阻，导通电阻等。 特别是GS极寄生电容。 提供足够驱动电流调整MOS场效应管开关时间。 条件：Vgs电压 >  th开启电压 Source极接地，但要注意Gate电压 如：H桥驱动电机 MOS管S极可能不直接接地，因此要用专用驱动IC驱动

NMOS场效应管反向电流保护电路图，简化过的电荷泵电路， 直接连到RC 滤波。 振荡电路：用比较器搭出，施密特振荡触发器取代555。 实际：如果用运放替代比较器，用双运放芯片即可一个运放振荡。 去掉了另外比较器上迟滞，比较器内部带迟滞处理。 若：如果用运放代替，则要加上。

MOS场效应管高效D类音频放大器电路原理图，构建电路在 PerfBoard 上，在一块穿孔板上制作了电路。 这样做的原因： 1.电路简单; 2.修改快速; 用铜线完成大部分连接，但在某些最后阶段，使用一些连接线来完成构建。 完成穿孔板电路：

驱动MOS场效应管 Q1 和 Q2 的同步降压控制器原理电路，考虑因素 1.用MOS场效应管和控制器的功率级的印刷电路板PCB布局的紧凑性不好 2.在 MOS场效应管开关时间，在额定范围转换器中更精确。 体二极管导通时间更短，开关性能可改善，反向恢复相关噪声可降低。