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- MOS场效应管电路中电源与地接反了会出现什么情况-竟业电子
- MOS场效应管电路中在电源接反时
Vgs=0V
MOS管判断状态
原因：G接电源负极即0V，S经负载接电源负极即0V.D=Vcc
S=0V
体二极管反向偏置，MOS场效应管判断状态，电流无法流过NMOS管
负载即电源断开中。
电源接反不会怼到后面的负载上，后级电路不损坏。
把前面电源正负极接对，后级电路正常工作，即防反接功能。
注意：
防反接即电源接反，后级电路没有损坏，并不是电源接反后级电路正常工作。
如下图所示
MOS管导通，电流反着流?
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- 为何MOS场效应管状态不能在恒流区-MOS场效应管知识-竟业电子
- 在数字电子技术中状态有两种：1、0
电源系统5V，并不等于：
高电平是5V，则是它的区间在3.3V-5V。
低电平是5V，则是它的输出电压范围为0V-1.8V。
MOS场效应管：高电平向低电平过渡，过程中，经历恒流区，此状态很短。
要保证电路稳定，必须让输出电压是高电平或者低电平，否则电路中断工作状态。
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- RC缓冲电路保护MOS场效应管不被损坏-MOS场效应管知识-竟业电子
- 避免漏源间过电压，要在漏源极加保护电路，才安全，因VDS漏源击穿电压值很大。
如果元件开关瞬间电流突变，即产生漏极尖峰电压，此时MOS场效应管损坏。
管子开关速度越快，过电压越高。
当短路或大电流，MOS场效应管漏源极间电流，增加迅速并超过额定值。
MOS管要在过流极限值规定时间内关断，不然损坏。增加电流采样保护电路在主回路，
电流=一定值，通过保护电路关闭驱动电路来保护 MOS 管。
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- mos管真正模型中寄生电容并联电容和并联电阻-竟业电子
- 寄生电容
mos管真正模型中，极与极间有寄生电容存在，重点是GS间寄生电容Cgs。
开关速度受Cgs影响。
如:瞬时电流越大，快速充满Cgs，mos管快速导通。电容增加
1.让开启时间变长，开通损耗增加，电容充电缓慢，开通慢。
2.门极电压减少高频震荡。米勒平台减小振荡，MOS场效应管在米勒平台期间减小损耗。
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- MOS场效应管加速关断可用变压器驱动电路-竟业电子
- MOS场效应管加速关断可用变压器驱动电路
如下图所示
高边MOS场效应管驱动电路
变压器驱动器电路，为了能够驱动高边MOS管，但有时也用作为安全隔离。
R1作用：抑制PCB板上寄生电感，与C1形成LC振荡
设计作用：隔离直流，通过交流，避免磁芯饱和。
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- 芯片最基本的组成单位CMOS-MOS知识-竟业电子
- 芯片最基本的组成单位CMOS
CMOS由绝缘场效应晶体管组成，
因只有一种载流子，是一种单极型晶体管集成电路
基本结构：一个N沟道MOS管和一个P沟道MOS管。
两管栅极工作电压极性相反，将两管栅极相连作为输入端，两个漏极相连作为输出端，
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- 反向电流保护采用MOS场效应管与比较器解决方案-竟业电子
- 反接保护电路如果用MOS场效应管组成，那么无反向电流保护。
如果MOS管导通，电流即可双向流动。
那么怎么解决防护反向电流
MOS管+比较器
PMOS与NMOS电路工作原理相同
用比较器检测MOS场效应管源漏极间的电压VDS
辨别电流方向，即可反接保护。
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- MOS场效应管应用于灯驱动- MOS场效应管知识-竟业电子
- 补充对过压及ESD 输入保护，自我保护利用MOS场效应管完全保护拓扑结构，过热和过流保护电路。
自我保护 MOSFET 可提供进一步的过流和过温保护。 防止过热解决办法：温度传感器和热关断电路
在 MOS场效应管 开启，处于活动状态，若超过阈值温度 175°C即触发，MOSFET关闭，电流被中断，不在散热，设备温度下降 10°C，内置迟滞允许输出自动重新打开。
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- MOS场效应管半桥中的米勒效应优化SiC元件-竟业电子
- 米勒钳位典型半桥 MOS场效应管栅极驱动器，当开启半桥的上侧 MOSFET即M2：OFF → ON，下开关两端会发生电压变化 VDS产生电流I_Miller，为下部 MOSFET 的寄生电容 C充电此电流流经→米勒电容→栅极电阻→ C GS 电容。较快的VDS 从低切换到高。
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