避免漏源间过电压，要在漏源极加保护电路，才安全，因VDS漏源击穿电压值很大。 如果元件开关瞬间电流突变，即产生漏极尖峰电压，此时MOS场效应管损坏。 管子开关速度越快，过电压越高。 当短路或大电流，MOS场效应管漏源极间电流，增加迅速并超过额定值。 MOS管要在过流极限值规定时间内关断，不然损坏。增加电流采样保护电路在主回路， 电流=一定值，通过保护电路关闭驱动电路来保护 MOS 管。

寄生电容 mos管真正模型中，极与极间有寄生电容存在，重点是GS间寄生电容Cgs。 开关速度受Cgs影响。 如:瞬时电流越大，快速充满Cgs，mos管快速导通。电容增加 1.让开启时间变长，开通损耗增加，电容充电缓慢，开通慢。 2.门极电压减少高频震荡。米勒平台减小振荡，MOS场效应管在米勒平台期间减小损耗。

输入电压值不固定，此值与时间等因素变动而改变，因此变动导致PWM电路提供稳定的电压给MOS管驱动。 MOS管要在高VGate安全，则必须内置稳压管强行限制VGate幅值。 此时，提供的驱动电压 > 稳压管电压 则引起静态大静态功耗

MOS场效应管加速关断可用变压器驱动电路 如下图所示 高边MOS场效应管驱动电路 变压器驱动器电路，为了能够驱动高边MOS管，但有时也用作为安全隔离。 R1作用：抑制PCB板上寄生电感，与C1形成LC振荡 设计作用：隔离直流，通过交流，避免磁芯饱和。

芯片最基本的组成单位CMOS CMOS由绝缘场效应晶体管组成， 因只有一种载流子，是一种单极型晶体管集成电路 基本结构：一个N沟道MOS管和一个P沟道MOS管。 两管栅极工作电压极性相反，将两管栅极相连作为输入端，两个漏极相连作为输出端，

反接保护电路如果用MOS场效应管组成，那么无反向电流保护。 如果MOS管导通，电流即可双向流动。 那么怎么解决防护反向电流 MOS管+比较器 PMOS与NMOS电路工作原理相同 用比较器检测MOS场效应管源漏极间的电压VDS 辨别电流方向，即可反接保护。

补充对过压及ESD 输入保护，自我保护利用MOS场效应管完全保护拓扑结构，过热和过流保护电路。 自我保护 MOSFET 可提供进一步的过流和过温保护。  防止过热解决办法：温度传感器和热关断电路 在 MOS场效应管 开启，处于活动状态，若超过阈值温度 175°C即触发，MOSFET关闭，电流被中断，不在散热，设备温度下降 10°C，内置迟滞允许输出自动重新打开。  

米勒钳位典型半桥 MOS场效应管栅极驱动器，当开启半桥的上侧 MOSFET即M2：OFF → ON，下开关两端会发生电压变化 VDS产生电流I_Miller，为下部 MOSFET 的寄生电容 C充电此电流流经→米勒电容→栅极电阻→ C GS 电容。较快的VDS 从低切换到高。

功耗主要由MOS场效应管和二极管产生。 损耗：传导损耗和开关损耗。 开关元件MOS场效应管和二极管，导通时电流流过回路。 元件导通 传导损耗：MOSFET的导通电阻(RDS(ON))和二极管的正向导通电压决定。

1，200-V 碳化硅 MOS场效应管 优势 1.高沟道迁移率 2.长氧化物寿命 3.高阈值电压稳定性 美国国家标准与技术研究院 （NIST） 的研究人员利用瞬态介质击穿 TDDB 等寿命加速技术，预测一家主要制造商的 SiC MOS 技术的氧化物寿命将超过 100 年，甚至结温高于 200°C。 注意 硅 MOS 中通常存在与温度相关的加速因子，但 NIST 研究人员尚未观察到 SiC MOS 的相同现象。 如下图所示 在 175°C 下进行的 HTGB 压力测试，具有正负 VGS