米勒钳位

典型半桥 MOS场效应管栅极驱动器

当开启半桥的上侧 MOSFET即M2：OFF → ON，下开关两端会发生电压变化 VDS

产生电流I_Miller，为下部 MOSFET 的寄生电容 C充电

 

此电流流经→米勒电容→栅极电阻→ C GS 电容。

较快的VDS 从低切换到高。

 

如：栅极电阻上的电压降 > 下 MOSFET 的阈值电压，导致称为“米勒效应”的寄生导通

即M1 导通。

 

规避米勒效应

（1）保持 MOS场效应管关闭的负电源VEE

（2）主动米勒钳位

如下图所示

1.添加第三个内部 MOSFET如上图中的M3，连接到驱动电路中的最低电位。

 

2.当 MOSFET 被关断时，钳位开关在栅极电压降至特定水平以下时被激活，以确保 MOSFET 在任何接地反弹事件或 dV DS /dt 瞬变期间保持关断

有源米勒钳位，可通过将栅极直接钳位到地或负电源来减少VGS 增加如下曲线图

 

3.与栅极电压振荡有关

振荡可正可负，从而产生噪声，此时，在栅极和源极间添加一个电容器，提高 C GD /C GS 比率。