对策内容将电阻与二极管并联插入功率MOS场效应管的栅极会延迟导通时间。由此来控制内部二极管的di/dtdv/dt，并减小恢复电流(此时，即使不延迟切断时间也可以)。对策内容将各个L与二极管并联插入功率MOS场效应管的漏极，可控制di/dt，并能减小回复电流irr。

MOS场效应管开关特性中gm漏极电压依存性和等效电路，VGS > VDS，Cgd为漏极电极正下方的氧化 膜电容Cgd0。 VGSVDS(sat)的范围内处于饱和区域 VDS(sat)

时间：2023/2/22键词：MOS场效应管

在开关稳压器等功率开关的用途中，开关MOS场效应管的负载多为感应性负载，所在要考虑反向偏压 ASO 。 在开关电源等，为了缩短 tstg和 tf，对发射极/基极结进行强制性 反向偏置，此时产生IB的反向电流，但是该电流越大tstg和tf就越小。 反向偏压ASO也变小，从而限制了工 作区域

MOS场效应管将绝对最大额定值项目的耐压VDSS、漏极电流ID和沟道损耗容限Pch，分别规定为独立的项目。MOS场效应管漏极/源极耐压VDSS  该项表示在栅极/源极之间短路时，可外加到漏极/源极之间的最大电压。

在设计电路尺寸时，如何获得Vth与unCox值，需要用到萨支唐公式 model工艺，直接找到PMOS和NMOS的Vth0，u0和tox 可如以下公式由tox计算得出Cox，利用说明书上的model数据估算， 下面是allen书上的0.8um Nwell CMOS工艺 PMOS场效应管和NMOS场效应管的Vt大约为0.7V unCox=110 upCox=50

功率 MOS场效应管具有优秀的高速 / 高频等显著特性，应用于可发挥其特长的高速开关稳压器和大输出广播发 射机等。 固有MOS场效应管截止频率通过相互电导与输入电容的比来定义，普通的MOS FET也可以达到数GHz。在实际的器件中，截止频率受到栅极寄生电阻和输入电容的限制

CMOS场效应管寄生双极晶体管被触发导通，通常把这种现像叫作闩锁效应。 电源与地间有低阻通路，大电流，因此产生让电路无法工作的情况，或是电路被烧毁。 pnp（npn）二极管结构：源→阱→衬底 自身n阱→p衬底已形成反偏结构， CMOS场效应管家电路的闩锁效应：n阱中的p掺杂的电压高于n阱的阱电位，即殂成。

电平=1.8V 或3.3V 选一个NMOS场效应管WNM2021 注意：参数，导通电阻，开关速度，打开门限电压， NMOS场效应管相关参数：左→右 1.8V→3.3V IO_1.8=高电平，MOS关断，IO_3.3=高电平 IO_1.8=低电平 Vgs = 1.8V>Vgs(th) MOS导通，IO_3.3=低电平 IO_1.8=高阻态，MOS关断，IO_3.3=高电平右→左 IO_3.3=高电平，MOS关断，IO_1.8=高电平 IO_3.3=低电平

整流桥 让电源无极性 解析：在电路中电源不管是正接或是反接，都可正常工作。 整流桥组成：二极管4个即可。 在交流转直流的整流电路中，在交流的每个周期有两个二极管同时导通，另外两个二极管截止，依次轮换。 整流桥仿真电路 整流桥所实现的仿真电路如下图所示 电源：正接或反接，负载LED都发光 即整流桥实现电源的无极性。

MOS场效应管应用于推挽和开漏输出电路图分析 推挽和开漏输出电路图如下所示 开漏模式：可读IO输入电平变化 端口也可作双向IO使用，推挽输出: 可以输出高，低电平，连接数字器件 输出 0 ，N-MOS场效应管 导通，P-MOS 高阻，输出0 输出 1 ，N-MOS场效应管 高阻，P-MOS 导通，输出1 不需要外部上拉电路