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英飞凌infineon950V CoolMOS™ PFD7满足高功率工业SMPS应用-竟业电子

   时间:2022/10/28      阅读:594    关键词:英飞凌infineon

 

英飞凌infineon推出950V CoolMOSPFD7系列具有集成快体二极管,可满足高功率照明和工业SMPS应用

为满足当代市场对改进外形和节能产品的需求,英飞凌infineon开发了一款新的CoolMOSPFD7高压MOSFET系列,为950V超结(SJ)技术树立了新的基准。新的950V系列将卓越的性能与最先进的易用性相结合,并具有集成的快体二极管,确保了设备的坚固性,进而减少了材料清单(BOM)。针对超高功率密度和最高效率设计,新产品主要针对照明系统以及消费和工业SMPS应用。

 

新产品适用于反激式、PFCLLC/LCC设计,包括半桥或全桥配置,使换向更加可靠可靠。通过将超快体二极管与超低反向恢复电荷(Qrr)集成,它们提供了硬换流坚固性和可靠性。这使得它成为该电压等级中最坚固的SJ MOSFET,能够在目标应用中的所有拓扑中使用。

 

900 V CoolMOS C3 SJ MOSFET相比,显著降低的开关损耗(E OSSQ OSSQ g)提高了硬开关和软开关应用的效率,使MOSFET温度降低了4°K。新产品将轻载和满载PFC效率提高了0.2%以上,同时与LLC效率相匹配,为绿色世界做出了贡献。

 

英飞凌infineon新系列在各种SMDTHD封装中提供了敢达55%的导通电阻(R DSon))器件,如450米Ω DPAK60 mΩ 这使得设计者能够使用更小的封装,并在降低BOM和生产成本的情况下提高功率密度和板空间节约。

 

栅极源极阈值电压(VGS),th)为3 V,最小VGS),th变化为±0.5 V,使新器件易于设计和驱动,从而增加了设计自由度。由于低阈值电压和容差,避免了MOSFET线性模式操作,同时允许更低的驱动电压和更低的空闲损耗。

英飞凌infineon950V CoolMOS™ PFD7满足高功率工业SMPS应用

CoolMOS C3相比,栅极电荷提高了60%,从而显著降低了驱动损耗ESD坚固性通过2级人体模型HBM等级来确保,从而减少了ESD相关故障并提高了制造产量。

 

 

 

 

 

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