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英飞凌infineon推出TO247PLUS封装的新型EDT2 IGBT-竟业电子

   时间:2022/3/4      阅读:1712    关键词:英飞凌infineon

 

英飞凌infineon为离散牵引逆变器推出了TO247PLUS封装的新型汽车750 V EDT2 IGBT

202233英飞凌infineon将推出TO247PLUS封装的新型EDT2 IGBT。这些设备针对汽车离散牵引逆变器进行了优化,并扩展了英飞凌用于汽车应用的离散高压设备组合。由于其高质量,IGBT达到并超过了汽车部件的行业标准AECQ101。因此,这些设备可以显著提高逆变器系统的性能和可靠性。由于采用了汽车微图形沟槽场阻单元设计,IGBT基于一项技术,该技术已成功应用于EasyPACK™ 等多个逆变器模块中2B EDT2或组合

 

根据目标应用的要求,该产品系列具有抗短路能力。此外,TO247PLUS封装提供了更大的爬电距离,便于设计。EDT2技术针对牵引逆变器进行了优化,击穿电压为750 V,支持高达470 V DC的电池电压,显著降低了开关和传导损耗。

离散EDT2 IGBT的额定电流在100°C时为120 A200 A,每一个都具有非常低的正向电压,与上一代相比,传导损耗降低了13%AIKQ200N75CP2的额定电流为200 a,也是TO247Plus封装中同类最佳的分立IGBT。因此,对于定义的目标功率等级,并联所需的设备更少。此外,功率密度增加,系统成本降低。

 

英飞凌infineonEDT2 IGBT具有极窄的参数分布。典型值和最大值之间的集电极-发射极饱和电压(V cesat))差小于200 mV,栅极阈值电压(V GEth)差小于750 mV。此外,热系数为正。总之,这使并行操作变得容易,并为最终设计提供了系统灵活性和电源可扩展性。此外,IGBT具有平滑的开关性能、低栅电荷(Qg)和175°C的高结温(Tvjop)。

英飞凌infineon推出TO247PLUS封装的新型EDT2 IGBT

英飞凌infineon的离散EDT2 IGBT100°C时的额定电流为120 A200 A,每一个都具有非常低的正向电压,与上一代相比,传导损耗降低了13%AIKQ200N75CP2的额定电流为200 a,也是TO247Plus封装中同类最佳的分立IGBT。因此,对于定义的目标功率等级,并联所需的设备更少。此外,功率密度增加,系统成本降低。

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