MOS管场效应管的两极，G极与S极间存在结电容，此电容在设计时必须注意。

 

MOS管场效应管的开关时间越短，损耗越小，在整个开关电源损耗中，开关损耗最大，因此电源的工作效率，取决于MOS管场效应管驱动电路好坏。

 

MOS管场效应管G极与S极门电压由0升到开启时的电压，这段时间越短，MOS管场效应管开启速度越快，反之，开启电压降至0V越短，关断速度越快，因此MOS管栅极瞬间驱动电流要有足够大。

 

驱动MOS管场效应管芯片比较：

PWM芯片输出和三极管放大后这两种方法有很大的缺陷。

 

用专有MOS管驱动芯片比较好，如：TC4420，专有驱动芯片有足够的瞬间输出电流+TTL电平输入。

 

 

MOS管驱动设计注意事项

 

1.驱动线路走线时会产生寄生电感，而MOS管G极与S极间有结电容，它们会形成一个LC振荡电路。

驱动芯片的输出端直接接到MOS管栅极时，PWM波上升下降沿会引起大震荡，因此MOS管场效应管突然发热或是爆炸，为了阻止此事发生，那么就在栅极中联10欧电阻，从而降低LC振荡电路Q值，快速衰减震荡。

 

2.MOS管栅极高输入阻抗的特性，静电或干扰会让MOS管误导通，为了避免此失误，在MOS管场效应管的G极与S极间并联一个10K电阻来降低输入阻抗。

 

3.瞬间高压击穿MOS管场效应管：因功率线路上干扰耦合过来会产生此事件；

解决方案是：在MOS管场效应管的G极与S极间并联一个18V  TVS瞬态抑制二极管即可。

 

TVS：是一个反应灵敏的稳压管，瞬间可承受上千瓦的功率，可作吸收瞬间干扰脉冲用