英飞凌扩大其业务范围丁肖特基二极管1200伏的投资组合，通过增加六个设备在D-PAK真正的2针封装。使用SMD封装，设计可以更紧凑，更具成本效益。此外，新的DdPAK real 2针封装消除了中间针提供4.7毫米爬电和4.4毫米间隙距离。与标准DOPAK包装相比，这明显提高了安全边际。这些二极管非常适合于57431工业电源、57431DC充电站、57431不可中断电源和太阳能串逆变器等应用。

新设备使用英飞凌的CoolSiC肖特基二极管1200 V技术G5，它提供了一流的正向电压和高浪涌电流能力。此外，它可以防止反向恢复损耗，并允许独立于温度的开关行为。这些功能可以简化设计，在较高的开关频率下使用时，冷却要求更低，磁性更小。CoolSiC Schottky二极管1200 V G5的额定电流为2 A至20 A，代表了DèPAK real 2针封装中业界最广泛的产品组合。

通过在D 2pak real 2-pin封装中使用新的SiC二极管，与Si解决方案相比，设计者能够达到功率密度和可靠性的新水平。与其他英飞凌产品相结合，如CoolSiC MOSFETs 1200 V或TRENCHSTOP™ 1200 V IGBT6和二十面体™ 门驱动器集成电路，新的组合提供了一个最高效率设计的完整解决方案。