什么是场效应管MOS管

 

场效应管分两种：结型场效应管（junction FET—JFET)  + 金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET），场效应管是场效应晶体管人简称，因数载流子参与导电也被称之为单极型晶体管；

 

场效应管MOS管的优点：

1.噪声小

2.大动态范围

3.输入电阻高

4.低功耗

5.集成容易

6.不会有二次击穿现象

7.具有很宽的安全工作区域

8.因利用多数载流子导电，温度稳定性较好

9.电压控制电子元器件并用是VGS栅源电压控制ID漏极电流

 

 

场效应管MOS管结构：

 

场效应管MOS管种类：增强型 + 耗尽型

场效应管MOS管分三个极：栅极G + 源极S + 漏极D

 

场效应管MOS管N沟道增强型结构：

 

在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上，制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出漏极d和源极s，后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层，在漏极与源极间绝缘层上装一个铝电极，作为栅极g，衬底引出一个电极B。

特点：N沟道增强型的栅极与其它电极间是绝缘的；

 

 

场效应管MOS管工作原理：

vGS对iD及沟道控制作用

vGS=0

增强型场效应管MOS管漏极d和源极s之间有两个背靠背的PN结。

栅极与源极间电压vGS=0  + 漏极与源极电压vDS，PN结处于反偏状态，漏极与源极间无导电沟道，漏极电流iD≈0。

 

vGS>0

栅极与衬底之间SiO2绝缘层间产生电场。

此电场方向垂直于半导体表面的由栅极指向衬底的电场。

此电场能排斥空穴而吸引电子。

 

排斥空穴：使栅极附近的P型衬底中的空穴被排斥，剩下不能移动的受主离子(负离子)，形成耗尽层。

吸引电子：将 P型衬底中的电子（少子）被吸引到衬底表面。