英飞凌infineon OptiMOS™ PQFN 2x2中的5个25 V和30 V解决方案设定了新的形状系数、通态电阻和开关性能标准

2022年2月28日—英飞凌infineon推出其新的PQFN 2 x 2 mm 2 OptiMOS™ ，致力于为离散功率MOSFET技术制定新的技术标准5.25V和30V产品系列。将薄型晶圆技术与封装创新相结合，新设备能够以极小的外形因素实现显著的性能优势。OptiMOS 5 25 V和30 V已针对服务器、电信设备、便携式充电器和无线充电的SMPS（开关电源）中的同步整流进行了优化。功率MOSFET还设计用于无人机中小型无刷电机的电子速度控制（ESC），这些电机需要更小的外形尺寸和更轻的部件。

同类最佳的PQFN 2x2设备提供了新的功率密度和节能尺寸，具有业界最低的导通电阻。2 x 2 mm 2的小封装占地面积提供了PCB布局布线的灵活性。结合卓越的电气性能，该解决方案进一步提高了最终应用中的功率密度和形状因数。此外，降低的系统温度和改进的性能提供了更宽松的热管理。这些功能有助于实现整体更小的客户应用程序，从而显著节省空间，降低系统成本，并易于设计产品。

英飞凌infineon的OptiMOS™ PQFN 2x2中的5个25 V和30 V解决方案提供了一种新的功率密度和节能尺寸，具有业界最低的导通电阻。2 x 2 mm2的小封装占地面积提供了PCB布局布线的灵活性。结合卓越的电气性能，该解决方案进一步提高了最终应用中的功率密度和形状因数。