最高的系统效率是现代电力电子技术的关键要求，它正在推动越来越高的功率密度的发展。然而，如果发生短路事件，高系统值将受到影响。为了防止这种情况发生，并为系统提供最佳保护，英飞凌infineon正在扩大其独立Eiedriver™产品组合 F3增强型（1ED332x）系列的增强型门驱动器。门驱动器系列实现了可靠和多功能的保护，以防止破坏性短路事件。这使得传统的电源开关，如IGBT，以及CoolSIC都可以使用™ 宽带隙器件需要保护。驾驶员系列设计用于工业驱动、太阳能系统、电动汽车充电、储能系统、商用空调和其他应用。

英飞凌infineon Eiedriver™ F3增强型封装在一个300密耳宽的DSO 16封装中，具有8毫米的大爬电距离。单通道隔离门驱动器提供高达300 kV/us的高共模瞬态抗扰度（CMTI）和高达8.5 A的典型输出电流。紧密的传播延迟匹配允许最小死区时间提高系统效率并减少谐波失真。驱动器系列提供短路钳位和主动关闭，以及主动米勒钳位。

该设备设计用于宽功率范围，支持40V绝对最大输出电压。此外，驱动器系列适合在高环境温度和快速开关应用中运行，使其非常适合崎岖环境。因此，它非常适合传统的IGBT、IGBT7和碳化硅（SiC）MOSFET。

此外，凭借2300 V的容量，它支持超过1200 V阻断电压的电源开关。UL 1577和VDE 0884-11（强化隔离）认证确保了高应用可靠性和长使用寿命。

英飞凌infineon  EiceDRIVER™  F3 Enhanced专为宽功率范围设计，支持40V绝对最大输出电压。此外，驱动器系列适合在高环境温度和快速开关应用中运行，使其非常适合崎岖环境。因此，它非常适合传统的IGBT、IGBT7和碳化硅（SiC）MOSFET。此外，凭借2300 V的容量，它支持超过1200 V阻断电压的电源开关。UL 1577和VDE 0884-11（加强隔离）认证确保了高应用可靠性。

英飞凌infineon The EiceDRIVER™ F3 Enhanced设计用于宽功率范围，支持40 V绝对最大输出电压。此外，驱动器系列适合在高环境温度和快速开关应用中运行，使其非常适合崎岖环境。因此，它非常适合传统的IGBT、IGBT7和碳化硅（SiC）MOSFET。此外，凭借2300 V的容量，它支持超过1200 V阻断电压的电源开关。UL 1577和VDE 0884-11（加强隔离）认证确保了高应用可靠性。