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英飞凌infineon基于宽带隙WBG材料氮化镓GaN电源开关-竟业电子

   时间:2021/5/10      阅读:241    关键词:英飞凌infineon

 

英飞凌infineon推出CoolGaN™ 适用于30至500 W功率范围的IPS系列

英飞凌infineon基于宽带隙(WBG)材料氮化镓(GaN)的电源开关实现了卓越的效率和高开关频率,开启了电力电子的新纪元。为了支持这一发展,英飞凌infineon添加了新的CoolGaN™ IPS系列集成电 源阶段(IPS)产品,以其广泛的组合WBG电源设备。最初的IPS产品组合包括半桥和单通道产品,针对低至中功率应用,包括充电器和适配器以及开关电源(SMPS)。

 

英飞凌infineon 600 V CoolGaN半桥IPS IGI60F1414A1L非常适合中低功率范围内的紧凑型和轻型设计。它采用热增强型8x8 QFN-28封装,使系统具有非常高的功率密度。该产品结合了两个140米Ω / 600 V CoolGaN e型HEMT开关,配备英飞凌infineon EiceDRIVER™的专用电隔离高低压侧栅极驱动器家庭。

 

IGI60F1414A1L易于控制,因为隔离门驱动器具有两个数字PWM输入。集成的隔离功能、数字和电源接地的干净分离以及降低PCB布局的复杂性对于缩短开发时间、降低系统材料清单和降低总成本至关重要。门驱动器的输入到输出隔离基于英飞凌经验证的片上无芯变压器(CT)技术。这保证了高速和出色的鲁棒性,即使对于电压斜率超过150 V/ns的极快开关瞬态。

 

IGI60F1414A1L的开关特性可以很容易地适应不同应用的需要,通过一些无源门电路元件。这允许转换率优化,例如,减少电磁干扰(EMI)的努力,稳态栅极电流设置,以及在硬开关应用中稳健运行的负栅极驱动。

 

此外,由于系统在封装集成和门驱动器的高精度和稳定的传播延迟,IGI60F1414A1L使尽可能低的系统死区时间。这有助于最大限度地提高系统效率,将功率密度提高到35 W/in³ 充电器和适配器解决方案。灵活、简单和快速的设计也适用于其他应用,包括LLC谐振拓扑和电机驱动。

 

英飞凌infineon基于宽带隙WBG材料氮化镓GaN电源开关

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