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英飞凌infineon CoolSiC™新型汽车电源模块MOSFET技术-竟业电子

   时间:2021/5/6      阅读:267    关键词:英飞凌infineon

 

业界首款汽车级SiC六块电源模块,用于电动汽车牵引逆变器–使用HybridPACK™可轻松提升功率 驱动CoolSiC

英飞凌infineon 今天推出了一款带有CoolSiC™的新型汽车电源模块 MOSFET技术。在今年的虚拟PCIM贸易展上,英飞凌infineon 将推出新的HybridPACK™ 驱动CoolSiC, 为电动汽车(EV)中的牵引逆变器优化的具有1200 V阻断电压的全桥模块。该功率模块基于汽车冷却sic沟道MOSFET技术,用于高功率密度和高性能应用。这在具有更长范围和更低电池成本的逆变器中提供了更高的效率,特别是对于具有800 V电池系统和更大电池容量的车辆。
 

“电动全球模块化平台(E-GMP)的800 V系统代表了下一代电动汽车充电时间缩短的技术基础,”现代汽车集团电气化开发团队负责人Jin Hwan Jung博士说通过使用基于英飞凌infineon CoolSiC功率模块的牵引逆变器,我们能够将车辆的续航里程提高5%以上,因为与硅基解决方案相比,这种SiC解决方案的损耗更低,从而提高了效率。”

 

MarkMü英飞凌创新和新兴技术主管nzer说随着碳化硅器件价格的大幅下降,碳化硅解决方案的商业化进程将加快,从而形成更具成本效益的平台,采用碳化硅技术来提高电动汽车的续航里程。”

 

HybridPACK硬盘于2017年首次推出,采用英飞凌infineon 的硅EDT2技术,经过专门优化,可在真实驾驶循环中提供最佳效率。它提供了一个可扩展的功率范围为100千瓦至180千瓦的750伏和1200伏级。该产品是英飞凌infineon在市场上领先的电源模块,在20多个电动车平台上的出货量超过100万件。新的CoolSiC版本基于英飞凌infineon的碳化硅沟槽MOSFET结构。与平面结构相比,沟槽结构能够实现更高的单元密度,从而产生最佳的品质因数。因此,沟道MOSFET可以在较低的栅氧化场强下工作,从而提高可靠性。

 

该电源模块提供了一个简单的从硅到碳化硅的高标度路径,具有相同的占地面积。这使得逆变器的设计,以实现更高的功率高达250千瓦的1200伏级,更大的驾驶范围,更小的电池尺寸和优化系统的大小和成本。为了为不同的功率水平提供最佳的性价比,本产品有两种不同芯片数的版本可供选择,从而在1200 V等级中提供400 a200 a直流额定值版本。

 

英飞凌infineon CoolSiC汽车MOSFET技术

第一代CoolSiC汽车MOSFET技术针对牵引逆变器的使用进行了优化,重点是实现最低的传导损耗,特别是在部分负载条件下。与碳化硅MOSFET的低开关损耗相结合,与硅IGBT相比,这使得逆变器操作的效率提高。

 

除了优化性能,英飞凌infineon 还非常重视可靠性。汽车CoolSiCMOSFET的设计和测试,以实现短路稳健性和高度宇宙射线和栅氧化稳健性,这是设计高效可靠的汽车牵引逆变器和其他高压应用的关键。HybridPACK驱动CoolSiC电源模块完全符合AQG324汽车电源模块标准。

英飞凌infineon CoolSiC™新型汽车电源模块MOSFET技术

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