英飞凌infineon源对源保护电路

在共源配置中，mosfet与彼此连接的源串联，mosfet的漏极在保护电路内外形成。这种mosfet的配置也可以称为背靠背配置。

优势

1.切换速度更快。

2.更便宜。

3.只需要一个充电泵或隔离电源。

4.只需一个栅极驱动器即可驱动两个MOSFET。

5.不太复杂的设计。

 

缺点：

1.采用标准排水封装的MOSFET散热面积更小。由于mosfet产生的热量会散失到铜中，铜与控制和传感电路相连。从而影响控制和传感解决方案的精度和效率。

2.如果发生故障，使用单栅极驱动器时，两个MOSFET可能同时发生故障。

 

 

英飞凌infineon漏极至漏极保护电路

在常见的漏极配置中，mosfet与彼此连接的漏极串联，mosfet的源端在保护电路内外形成。这种mosfet的配置也可以称为背靠背配置。

优势：

1.可独立控制FET。

2.易于实施安全换向技术。

3.更高的安全标准，因为需要单独的门驱动器来驱动mosfet。

缺点：

1.需要一个电荷泵来驱动两个mosfet。

2.更复杂的设计。