半桥驱动器块具有多个可编程的上拉和下拉电流源，用于为外部 MOSFET 的门极充电。

外部MOS场效应管 和电机负载半桥预驱动器电路，如下图所示

 

半桥预驱动器比较简化，控制外部 MOS场效应管  和电机负载

 

橙色：可编程电流源，实现先进的压摆率控制。

快速导通，可分阶段增加HS1的上拉电流源，快速给门极充电，为电机负载提供可预测的开关行为。

 

精确的压摆率控制优势

赋高脉宽调制PWM频率，更严格最小和最大占空比，并管理功率损耗和减少电磁辐射。