设计应用 电子元器件百科 设计工具 Datasheet(PDF)下载
  • 请关注微信众公号
    查看更多技术文章
  • 碳化硅MOS场效应管横截面及模型-竟业电子

       时间:2022/5/25       阅读:1073    关键词:MOS场效应管

     

    建模一个适合BSIM模型的MOS场效应管通道。

    该模型以物理为基础,通过亚阈值、弱反和强反准确地捕捉转换过程。

    它具有很好的速度和收敛性

    被应用于:仿真平台

    如下图所示

    典型的碳化硅MOS场效应管器件的横截面

    碳化硅MOSFET横截面及模型

     

    如下电路所示

    精简子电路模型

    碳化硅MOSFET横截面及模型

    需要包含由EPI区域的多晶硅重叠形成的门极到漏极的临界电容CGD

    电容器高度非线性金属氧化物半导体(MOS)电容器。

     

    电容的耗尽区域依赖于复杂的工艺参数

    包括掺杂分布pdpw间的距离外延层的厚度。

     

    基于物理的模型考虑到所有这些影响

    采用SPICE不可知论的行为方法实现。

    碳化硅MOSFET横截面及模型

     

    灰色有源区

    蓝色无源区与裸芯边缘门极焊盘(gate pad)和门极流道gate runners相关联。

    基于物理几何的导子决定无源区和有源区之间的分布,这是实现可扩展性所必需的。

    有源和无源区边界区域形成的寄生电容。

    理念是使寄生电容=0

     

    碳化硅MOSFET支持非常快的dV/dts,约每纳秒50 V100 V,而dI/dts则支持每纳秒3 A6 A

    元器件门极电阻非常重要,可用来抗电磁干扰(EMI)。

     

    上图中右边有较少的门极流道,因此RG较高很好地限制振铃。

    上图左边有许多门极流道,因此RG较低。

    左边的设计适用于快速开关,但每个区域有更高的RDSon,因为门极流道吞噬了有源区。

    服务热线

    0755-83212595

    电子元器件销售平台微信

    销售