用反相逻辑驱动功率MOS场效应管电路

如下所示：

 

1a：当IO1发出一个低电平信号时，VGSQ1

VDD > VTHQ2，Q2导通，可以传导电流。

IO1输出高电平，Q1导通，CGQ2通过Q1放电。

VDSQ1 ~ 0 V，使得VGSQ2

此设置电路

缺点：Q1导通状态下R1的功耗。

解决方案：pMOSFET Q3可以作为上拉器件，其以与Q1互补的方式工作，如1b。

 

PMOS场效应管：低导通电阻+高关断电阻，驱动电路中的功耗低。

 

为在栅极转换期间控制边沿速率，Q1漏极和Q2栅极间外加一个小电阻。

MOS场效应管易于在裸片上制作，而制作电阻则相对较难。

 

此驱动功率开关栅极的独特接口可单片IC的形式创建，IC接受逻辑电平电压并产生更高的功率输出，此栅极驱动器应用于功率放大器和电平转换器。