驱动强度：栅极驱动器解决栅极电压和执行电平转换。

栅极电容无法瞬间改变其电压。

功率场效应管或IGBT具有非零的有限切换间隔时间。

在切换期间，元件可能处于高电流和高电压状态，会产生功耗并转化为热量。

 

高瞬变电流让栅极电容快速充电和放电，实现快速一个状态到另一个状态的转换。

无栅极驱动器MOS场效应管导通转换

 

能够在更长时间内提供/吸收更高栅极电流的驱动器，切换时间会更短，即其驱动的晶体管内的开关功耗也更低。

 

有栅极驱动器的MOSFET导通转换

如下图所示

 

微控制器I/O引脚的拉电流和灌电流额定值通常可达数十毫安，而栅极驱动器可以提供高得多的电流。

 

上第一个图：MOS场效应管由微控制器I/O引脚以最大额定拉电流驱动时，观察到切换时间间隔较长。

如上第二个图：ADuM4121隔离式栅极驱动器，转换时间大大缩短；

 

驱动同一功率MOS场效应管

该驱动器相比：微控制器I/O引脚能够提供高得多的驱动电流。