连续漏极电流

功率MOS场效应管的数据表中标示为ID。

通常连续漏极电流ID是一个计算值。

当元件封装和芯片的大小一定时，如对于底部有裸露铜皮的封装DPAK， TO220， D2PAK， DFN5*6等，那么器件的结到裸露铜皮的热阻RθJC是一个确定值， 根据硅片允许的最大工作结温TJ和裸露铜皮的温度TC，为常温25℃，就可以得到器件允许的最大的功耗PD。

得：

PD=TJ-TC/RθJC

当功率MOS场效应管流过最大的连续漏极电流时，产生最大功耗为PD：

 

得：PD=ID2●RDS（ON）-TJ（max）

 

上二式联立，可得最大连续漏极电流ID：

ID=TJ- Tc （1）Ip =Rac●Rps（on）。 T/mx）

 

RDS（ON）=在最大工作结温TJ下，功率MOSFET的导通电阻；

一般情况，硅片允许的最大工作结温为150℃。