MOS场效应管的损耗要减少可通过降低模块电源的驱动频率。

如：EMI问题及其解决方案

MOS场效应管损耗分析可得：开关电源的驱动频率越高，导通损耗、关断损耗和驱动损耗会相应增大，但是高频化可以使得模块电源的变压器磁芯更小，模块的体积变得更小，

因此可以通过开关频率优化开通损耗、关断损耗和驱动损耗，但是高频化却会引起严重的EMI问题。

 

金升阳DC/DC R3产品，采用跳频控制方法，

在轻负载下：通过降低模块电源的开关频率来降低驱动损耗，提高轻负载下效率，让系统在待机工作下，更节能，以提高蓄电池供电系统的工作时间，并能够降低EMI的辐射问题；

 

 

MOS场效应管的损耗要减少，通过降低完成

如：小功率模块电源（<50W），一般用电路拓扑结构为反激形式，控制电路如下所示：

即得：与开通损耗成正比、与关断损耗成正比;

一般可以减小MOS场效应管的驱动电阻Rg，来减少时间，

但是：此方案会有严重的EMI问题；

以金升阳URB2405YMD-6WR3产品为例来说明此项问题：

URB2405YMD-6WR3采用10Ω的MOS场效应管驱动电阻，裸机辐射测试结果如下：

 

结果：通过EN55022的辐射骚扰度的CLASS A等级，但是采用0欧姆的驱动电阻，在水平极化方向测试结果的余量是不足3dB的，此方案设计不被通过。

MOS场效应管的损耗要减少，通过降低吸收电路损耗

在设计模块电源时，存在变压器漏感，用反激拓扑式结构，在MOS场效应管截止过程中，MOS场效应管的漏极有很大的电压尖峰，一般，MOS场效应管的电压设计余量是足够承受，

 

但为了提高整体的电源效率，有些电源厂家并没有增加吸收电路。

 

如第一个电路图

①RCD吸收电路和 ②RC吸收电路，吸收尖峰电压。

但，吸收电路设计不注意，会导致EMI设计不合格。

如：以金升阳URF2405P-6WR3的吸收电路，采用上面第一个电路图的②RC吸收电路：

 

驱动电阻Rg=27Ω，无RC吸收电路，辐射骚扰度测试结果如下：

 

驱动电阻=27Ω，吸收电路为电阻R和C 5.1Ω 470pF，辐射骚扰度测试结果如下：

 

结果：
不用吸收电路方案：是不能通过EN55022辐射骚扰度的CLASS A等级，
采用吸收电路方案：则可解决辐射骚扰度实验不通过的问题，通过不同的RC组合方式可进一步降低辐射骚扰。