SET组成：漏极+源极+与源漏极耦合的量子点+两个隧穿结+用来调节控制量子点中电子数的栅极；

 

双栅极单MOS场效应管与一个四端元件等效，如下图所示：

（a）MOS场效应管双栅极SET的等效示意图

（b）MOS场效应管双栅极SET的I-V特性

 

偏置电压=VDS

隧穿结电容=CD和CS

隧穿结电阻=RD和RS

栅极电容=CG1和CG2

栅极电压=VG1和VG2

 

漏极与源极间电压VDS不变

栅极电压VG1变化，两个隧穿结上电压也随着相应变化。

 

隧穿结上电压 > 开启电压

产生电子隧穿效应，即电子离开量子点。

 

隧穿出一个结或者电子隧穿一个结，进入到量子点。

此隧穿过程随着VG的变化呈现为周期性如上图（b）。

 

当VDS较小，漏极与源极间电流iDS表现出所谓的库仑振荡形式，

其振荡电压的间隔是e/CGS1（e 是基本电荷）。

VGS2< 0 ：相位向右移动；

VGS2>0 ：相位向左移动。

 

VGS2<0 且VGS2较大，产生高势垒，阻碍隧穿产生电流，因此GS2 V 值应要较大。