要选择最优的MOS场效应管来实现同步整流，必须充分理解MOSFET的功耗产生机制。

首先，必须区分开随负载而变化的导通损耗与基本保持不变的开关损耗。

导通损耗取决于：MOS场效应管的RDS(on)和内部体二极管的正向电压VSD。随着输出电流的提高，导通损耗（RDS(on)损耗）也会相应地增加。

 

为确保两个SR MOSFET之间互锁，以避免出现直通电流，必须实现一定的死区时间。因此，在开启一次侧之前，必须关断相应的MOSFET。

 

由于该MOSFET正在导通全部续流电流，因此，这些电流将不得不从MOSFET沟道转而流向内部的体二极管，并由此产生额外的体二极管损耗。

 

体二极管的导通时间很短，仅为50 ns至100 ns左右，因而，当输出电压比体二极管的正向电压高得多时，这些损耗可以忽略不计。

 

取决于电源转换器的开关频率和输出负载，开关损耗对MOSFET的总功耗有很大影响。

MOS场效应管开启时，必须对栅极进行充电，以产生栅极电荷Qg。

MOS场效应管关断时，则必须将栅极中的电荷放电至源极，这就意味着Qg将消散在栅极电阻和栅极驱动器中。

对于特定MOSFET技术，栅极驱动损耗会随着RDS(on)的降低而增加，因为硅片越大Qg就越多，在总开关损耗中占很大比例的另一种损耗与MOS场效应管的输出电容Coss和反向恢复电荷Qrr有关。

 

MOS场效应管关断时，必须将Qrr移走，并且必须将输出电容充电至次级变压器电压。这个过程会导致反向电流峰值，该电流将耦合到交换环路的电感中。因此，这些电量将被转移至MOSFET的输出电容，加上之前存储的电量，将由此产生电压尖峰。

 

这些电量将触发LC振荡电路，LC振荡电路的性能取决于印刷电路板的感应系数和MOSFET的输出电容Coss。

 

LC电路的寄生串联电阻将减弱振荡。由于这种在关断过程中产生的感应电量直接取决于MOSFET Coss（相应地，当输出电容被充电至次级变压器电压时，则为输出电荷Qoss），因此，总Coss决定了容性关断损耗。

 

对于栅极电荷也是如此，Qoss会随着RDS(on)的降低而增加。因此，总是能找到可以实现最高效率的导通损耗与开关损耗之间的平衡点。