优化SR MOS场效应管的效率
必须找到开关损耗与导通损耗之间的最佳平衡点。
在轻负载条件下，RDS(on)导通损耗占总功耗的比例极低。
在这种情况下，在整个负载范围内基本保持不变的开关损耗是主要损耗。
但，当输出电流较高时，导通损耗则成为最主要的损耗，其占总功耗的比例也最高，如下图所示：

功耗构成与输出电流的关系

 

 

在选择最适当的MOS场效应管时，必须特别注意RDS(on) 的取值范围。
如下图所示：

功耗与RDS(on)值的关系

当RDS(on)超出最优值时，总功耗将随RDS(on)的提高而线性增加。

 

当RDS(on) 降至低于最优值时，总功耗也会因输出电容的快速增加而急剧上升。

如上图，可实现最低功耗的RDS(on)值范围相当宽。
当RDS(on)在1毫欧姆至3毫欧姆范围内时，总功耗始终大致相同。

但，在此范围之外，RDS(on)仅下降0.5毫欧姆，便会令总功耗提高一倍，从而严重降低电源转换器的效率。

 

对于优化SR，另一个重要的问题是正确选择MOSFET封装。
只要将TO-220封装替换为SuperSO8封装即可实现效率提升。

原因：SuperSO8封装的电阻占总RDS(on)的比例更低。

 

在降低RDS(on)的同时，保持输出电容不变，能够降低FOMQoss。
FOMQoss是特定MOSFET解决方案的性能指标（FOMQoss= RDS(on) * Qoss）。
因此，降低FOMQoss可以降低开关损耗，从而提高系统能效。