要在整个负载范围内实现均衡的效率，必须借助四象限SR器件优化表对MOS场效应管电流做出合理的选择。采用满负载优化，可以在输出电流较高时实现良好的效率。

但是，当负载较低时，这种方法会大大降低效率，并且所需并联MOSFET的数量将多得不能接受。因此，必须找到最优MOSFET电流，以在整个输出电流范围内实现相对恒定的效率值。

如下图所示

表示：不同优化方法得到的效率。
图中所示效率曲线为：
当变压器电压=40V
栅极驱动电压=10V
开关频率=100kHz时，计算得到的12V同步整流级的效率。

在75V优化表中选择 IPP034NE7N3，按10 A MOSFET电流进行设计，所得到的优化方案仅需一个MOS场效应管。

这种优化方案能够在低电流时实现很高的效率，而在高电流时效率却极低。
按50 A进行优化设计，所得到的最佳方案则需要5个MOSFET。

采用这种优化方案，低电流时的效率将低得不能接受，但在满负载时可以达到最高效率。
因此，对该设置而言，最佳优化方案是采用两个并联的MOS场效应管，从而获得整体均衡的效率。

通常，按最高输出功率的20%至30%对MOS场效应管进行优化，可以获得均衡的总体效率。对于强调轻负载效率的系统，可以按最高电流的10%至20%的低电流进行优化；

而对于高负载设计，则适于按最高电流的60%进行优化。应当避免按100%输出负载进行优化，因为这会严重降低系统的低负载效率，并大大增加所需并联的MOS场效应管数量。

不同优化方法实现的效率不尽相同