下拉电阻R2 值> 栅极驱动电阻R3值，且值相差非常大，可忽略下拉电阻值，刚接电，电容电压=0，开始充电电流12V/100R=120mA，妈Igs开始充电电流。

 

GS电容电充满，R2下拉电阻此线路电流即12V/18K=0.67mA，即电流Igs与Vgs电压相反。

若：实测，Vds电压波形与Id电流波形相位不同，电流滞后于电压，此因电流探头精度不高。

电流探头上有一个频率，如Hz级别，不可且测不准。

电流要响应开关频率，则它的值要高，探头要1万元左右，且有源电流探头。

当米勒平台区过后，Vgs电压会继续升高，随着Vgs不断升高，Rdson会有变化，等达到一定电压，Rdson会达到数据手册上阻值。

 

实际，当Vgs两端电压达>10V，Rdson会达到最小值。

若给一个余量，建议Vgs驱动电压=12V或15V。

通过分析MOS场效应管的米勒平台区域是最危险的区域。

 

 

MOS场效应管一周期损耗分析

t0-t1时刻：无损耗；

t1-t2时刻：有损耗，用平均电流Id/2*Vds；

t2-t3时刻：有损耗，用平均电压*Id；

t3-饱和导通时刻：有损耗；

饱和导通后，导通损耗Rdson*Id^2。

 

因MOS场效应管在开通期间，电压与电流同时存在，有开通损耗，关断期间有关断损耗。

MOS场效应管损耗：开通损耗+关断损耗+导通损耗+续流损耗；

 

负载电流与Vbus电压无从改变，米勒平台时间决定开关损耗。

开关损耗减小，怒缩短米勒平台时间，栅极电阻值要减小，栅极驱动电流要增大，

栅极驱动电压提高，米勒电容值的，即慢管或快管问题。