英飞凌infineon EiceDRIVER™1EDB单通道门驱动器IC系列，在小型150 mil 8针DSO封装中集成电流隔离

 

英飞凌infineon扩大了其不断增长的单通道门驱动器IC产品组合。新EiceDRIVER™ 1EDB系列单通道门驱动器IC提供3 kV rms（UL 1577）的电流输入到输出隔离，确保坚固的接地回路分离。他们的共模瞬态抗扰度（CMTI）超过300伏/纳秒，使这些设备的硬开关应用，使许多拓扑结构的完美选择。

 

新的1EDB系列包括四个部分（1EDB6275F、1EDB7275F、1EDB8275F和1EDB9275F），并针对高端/低端应用进行了优化。它们可以解决服务器和电信交换式电源（SMPS）以及不间断电源（UPS）系统等大功率应用中常见的PCB布局问题。由于电动汽车对功率密度要求的提高，电动汽车充电设计通常需要快速开关功率mosfet。光伏逆变器利用碳化硅MOSFET，因为它们既能降低开关损耗，又能显著提高功率密度。新的1EDB系列解决了所有这些应用，确保了高系统效率和强健安全的系统操作。

 

所有产品都配有单独的极低欧姆（0.95Ω) 源和（0.48Ω) 接收器输出便于设计，提供5.4 A峰值源和9.8 A峰值接收器的典型驱动强度。这一特性对降低功率mosfet的开关损耗起着至关重要的作用。输入到输出的传播延迟精度为+/-4 ns，有助于减少开关损耗，这在快速开关应用中至关重要。典型的输出级箝位速度短至20 ns，支持功能安全的系统操作，特别是在启动期间。

 

设计人员可以选择四种不同的输出欠压锁定（UVLO）选项：

0 V用于逻辑电平MOSFET（1EDB7275F）

正常电平MOSFET（1EDB8275F）为0 V

CoolSiC为12 V™ MOSFET 650 V（15 V驱动方案，1EDB6275F）

CoolSiC为14 V™ MOSFET 650伏(≥18 V驱动方案，1EDB9275F）

 

英飞凌infineonEiceDRIVER™ 1EDB系列配有单独的极低欧姆（0.95Ω) 源和（0.48Ω) 接收器输出便于设计，提供5.4 Apeak源和9.8 Apeak接收器的典型驱动强度。输入到输出的传播延迟精度为+/-4 ns，有助于减少开关损耗，这在快速开关应用中至关重要。典型的输出级箝位速度短至20 ns，支持功能安全的系统操作，特别是在启动期间。