MOS场效应管PN结雪崩击穿

因漏极反偏电压下，PN结耗尽区展宽，反偏电场加在PN结反偏上面，让电子加速撞击晶格，生成新电子空穴对 ，再电子继续撞击，因此雪崩倍增持续，因而击穿。

此时击穿电流值，快速增大，I-V curve垂直向上，易烧毁。

 

juncTIon BV怎么改善

PN结本身特性，降低耗尽区电场，避免碰撞产生电子空穴对，

电压降低无作用，即耗尽区宽度增加，改变doping profile，突变结击穿电压比缓变结低。

 

doping profile，doping浓度，越大浓度，越窄耗尽区宽度，越强电场强，即击穿电压降低。

由此得公式

BV=K*（1/Na+1/Nb）

Na与Nb浓度若差10倍，即可几乎忽略其中一 个。

实际process，发现BV变小，并从junction走，即可查Source/Drain implant。

 

MOS场效应管Drain>Gate击穿

Drain与Gate间Overlap，致栅极氧化层击穿，与GOX击穿相似，同样像 Poly finger的GOX击穿。