Ig=MOS场效应管栅极驱动电流；

密勒效应时间即开关时间

Ton/off=Qgd/Ig；

Ig=[Vb-Vgs(th)]/Rg；

Vb：稳态栅极驱动电压；

 

 

Ig=Qg/Ton

Ton=t3-t0≈td(on)+tr

Qg=（CEI）(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod

td(on)：MOS场效应管导通延迟时间，从有驶入电压上升到10%开始到VDS下降到其幅值90%的时间。

Tr：上升时间，即输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时间

 

 

Total Gate Charge曲线

 

一般在数据表时可以查到，此曲线先上升→水平→上升

 

水平：密勒效应，0.2us内MOS场效应管开通，预估总时间=0.4us

Qg=67nC

67nC/0.4us=0.1675A

即峰值；

MOS场效应管开通0.2us和关断0.2us有电流，在其他时间几乎几乎电流，平均值小，

驱动芯片若不能输出此峰值，MOS场效应管开通即变慢