TrenchFET® P沟道Gen III功率MOS场效应管即Vishay Si8851EDB

封装：2.4mm x 2.0mm x 0.4mm MICRO FOOT®

4.5V导通电阻低至8.0mΩ

 

-4.5V=栅极驱动  导通电阻=8.0mΩ

-2.5V=栅极驱动  导通电阻=11.0mΩ

结合技术：P沟道Gen III+MICRO FOOT无封装CSP+30pin引脚

 

高度薄：与(2mm x 2mm x 0.8mm)*50%

 

4.5V栅极驱动  导通电阻/2

单位封装尺寸导通电阻低37%

 

它的导通电阻接近3.3mm x 3.3mm x 0.8mm的MOS场效应管，

外形尺寸小56%，单位封装尺寸导通电阻低30%以上。

 

可延长电池使用寿命

占位空间小

ESD保护达到6kV，避免静电放电；

MOS场效应管

JEDEC JS709A的无卤素规定，符合RoHS指令2011/65/EU；

高度=0.4mm

 

应用于：平板电脑+智能手机+笔记本电脑电源管理应用中用作负载和电池开关